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고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이

  • 기술번호 : KST2015030809
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이에 관한 것으로, GaAs 기판 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, p-웨이브 가이드층과 식각 방지층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 식각 방지층 상부에 p-클래드층, 버퍼층과 캡층으로 이루어진 상호 분리된 복수개의 리지들이 형성되어 있고, 상기 캡층과 복수개의 리지들을 감싸는 p-금속층이 형성되어 있고, GaAs 기판 하부에 n-금속층이 형성되어 있는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 상기 복수개의 리지들 중, 중심 영역의 리지들의 폭(W1)은, 양측면의 리지들의 폭(W2)보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 어레이의 중심부에 있는 리지들의 폭을 가장자리에 있는 리지 폭보다 작게 형성하여, 온도 분포를 균일하게 하고, 중심부분에 비발광 재결합을 줄여 고출력을 얻을 수 있는 효과가 발생한다. 리지, 폭, 중심부, 레이저, 다이오드
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01)
출원번호/일자 1020040011645 (2004.02.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0600403-0000 (2006.07.05)
공개번호/일자 10-2005-0083238 (2005.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20060714) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김철회 대한민국 서울특별시서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0071749-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068623-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0583775-39
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0026225-74
6 의견서
Written Opinion		 2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0026206-17
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0026189-17
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0123324-94
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.02.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0124289-51
10 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.02.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2006-0124290-08
11 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2006.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0026983-46
12 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2006.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0030342-40
13 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2006.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0049497-41
14 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2006.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0051575-18
15 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0375467-48
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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GaAs 기판 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, p-웨이브 가이드층과 식각 방지층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 식각 방지층 상부에 p-클래드층, 버퍼층과 캡층으로 이루어진 상호 분리된 복수개의 리지들이 형성되어 있고, 상기 캡층과 복수개의 리지들을 감싸는 p-금속층이 형성되어 있고, GaAs 기판 하부에 n-금속층이 형성되어 있는 고출력 반도체 레이저 다이오드에 있어서,상기 복수개의 리지들의 폭은 최외곽 가장자리의 리지들에서 중심의 리지로 점차 줄어드는 것을 특징으로 하는 고출력 반도체 레이저 다이오드 어레이
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.