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1
기판 상에 규칙적인 요철들이 배열되어 형성된 제1 텍스처링;
상기 제1 텍스처링이 형성된 기판 상에 n형 콘택층, 활성층 및 p형 콘택층이 순차적으로 적층 형성되어 이루어지는 발광층;
상기 p형 콘택층 상에 규칙적인 요철들이 배열되어 형성되며, 상기 제 1 텍스처링과 다른 형상을 가진 제2 텍스처링; 및
상기 제2 텍스처링이 형성된 p형 콘택층 상에 형성된 보호층을 포함하는 반도체 발광소자
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2
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링 중 하나의 텍스처링은 반사형으로 형성되고, 다른 텍스처링은 투과형으로 형성되어, 상기 반사형 텍스처링에 의해 반사되어 상기 투과형 텍스처링에 의해 투과되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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3
제2항에 있어서, 상기 반사형 또는 투과형은 상기 제1 및 제2 텍스처링의 반복 주기, 크기 및 모양에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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4
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링은 3각 또는 4각 중 하나로 배열된 격자 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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5
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링의 굴절률은 상기 발광층의 굴절률보다는 작고 상기 기판 및 상기 보호층의 굴절률보다는 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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6
제1항에 있어서, 상기 제1 텍스처링은 상기 기판과 동일한 물질 또는 상기 기판과 상이한 제3의 물질 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 제2 텍스처링은 상기 p형 콘택층과 동일한 물질 또는 상기 p형 콘택층과 상이한 제3의 물질 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
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8
기판 상에 규칙적인 요철들이 배열된 제1 텍스처링을 형성하는 단계;
상기 제1 텍스처링이 형성된 기판 상에 n형 콘택층, 활성층 및 p형 콘택층이 순차적으로 적층 형성하는 단계;
상기 p형 콘택층 상에 규칙적인 요철들이 배열된 제2 텍스처링을 형성하는 단계; 및
상기 제2 텍스처링이 형성된 p형 콘택층 상에 보호층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 제 2 텍스처링을 형성하는 단계는 상기 제 1 텍스처링과 다른 형상을 가진 제 2 텍스처링을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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9
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링 중 하나의 텍스처링은 반사형으로 형성되고, 다른 텍스처링은 투과형으로 형성되어, 상기 반사형 텍스처링에 의해 반사되어 상기 투과형 텍스처링에 의해 투과되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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10
제9항에 있어서, 상기 반사형 또는 투과형은 상기 제1 및 제2 텍스처링의 반복 주기, 크기 및 모양에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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11
제8항에 있어서, 상기 제1 텍스처링은 상기 기판과 동일한 물질 또는 상기 기판과 상이한 제3의 물질 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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12
제8항에 있어서, 상기 제2 텍스처링은 상기 p형 콘택층과 동일한 물질 또는 상기 p형 콘택층과 상이한 제3의 물질 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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13
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링은 3각 또는 4각 중 하나로 배열된 격자 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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14
제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2 텍스처링은 포토 리소그래피, 이빔 리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 임프린트 리소그래피, AFM 리소그래피 중 하나를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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