맞춤기술찾기

이전대상기술

발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015030838
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 사파이어 기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 도핑되지 않은 질화갈륨층; 상기 도핑되지 않은 질화갈륨층 상에 형성되는 N형 질화갈륨층; 상기 N형 질화갈륨층 상에 형성되는 활성층; 및 상기 활성층 상에 피트(Pit)를 형성한 P형 질화갈륨층;을 포함하는 발광 다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020040010983 (2004.02.19)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1047677-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2005-0082518 (2005.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20110708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.17)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성재 대한민국 광주광역시북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0068610-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0095791-04
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0460621-84
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0748972-13
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0748973-69
11 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297677-84
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 도핑되지 않은 질화갈륨층; 상기 도핑되지 않은 질화갈륨층 상에 형성되는 N형 질화갈륨층; 상기 N형 질화갈륨층 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 피트(Pit)를 형성한 P형 질화갈륨층; 및 상기 피트가 형성된 상기 P형 질화갈륨층 상에 형성되는 투명 전극을 포함하고, 상기 피트는 상기 P형 질화갈륨층의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 P형 질화갈륨층은 습식 에칭 또는 건식 에칭을 선택적으로 이용하여 상기 피트를 형성한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
3 3
사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 도핑되지 않은 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 도핑되지 않은 질화갈륨층 상에 N형 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 N형 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 P형 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 P형 질화갈륨층 형성 후 건식 에칭 또는 습식 에칭을 선택적으로 이용하여 피트(Pit)를 형성하는 단계; 및 상기 피트가 형성된 상기 P형 질화갈륨층 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 피트는 상기 P형 질화갈륨층의 상면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 건식 에칭 과정은, 상기 P형 질화갈륨층 상에 금속 계열의 크롬층을 증착하는 단계와, 상기 증착 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 피트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴 형성후 Cr 식각액으로 Cr을 습식 에칭하여 마스크 패턴을 형성한 후 Cr을 제거하는 단계와, 상기 Cr 제거후 상기 P형 질화갈륨층 상에 피트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 습식 에칭 과정은, 수산화칼륨용액을 소정 온도 이상으로 온도를 올려 용융시키는 단계와, 상기 용융액에 디바이스 성장이 완료된 웨이퍼를 일정시간 디핑하는 단계와, 상기 디핑 후 표면의 KOH 용융액에 의한 상기 P형 질화갈륨의 식각 속도가 달라져 피트를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.