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기판 상부에 N-반도체층, 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고;상기 P-반도체층에서 N-반도체층 일부까지 제거되어, 상기 N-반도체층의 일부영역이 노출되어 있고; 상기 N-반도체층의 노출된 영역 상부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 있는 발광 다이오드에 있어서, 상기 N-반도체층과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 반도체층 내부 영역과, N-반도체층과 P-반도체층의 내부 영역 중 선택된 어느 한 영역에는 상호 이격되며, 상기 N-반도체층 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,상기 N-반도체 기판과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 내부 영역 또는, N-반도체 기판과 P-반도체층 양자의 내부 영역에는,상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈들은, ITO, ZnO, IrO, SiO2, Si3N4, Al, Ni, Au, Co와 Cr 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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4
N-반도체 기판 상부에 활성층과 P-반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 N-반도체 기판의 하부에 N전극패드가 형성되어 있고, 상기 P-반도체층 상부에 P전극패드가 형성되어 이루어진 발광 다이오드에 있어서,상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 중 선택된 어느 한 영역 또는, 상기 N-반도체 기판 하부면과 P-반도체층 상부면 양자의 영역에는,상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 돌출부들이 어레이되어 있으며,상기 N-반도체 기판과 P-반도체층 중 선택된 어느 한 내부 영역 또는, N-반도체 기판과 P-반도체층 양자의 내부 영역에는,상호 이격되며, 상기 N-반도체 기판 또는 P-반도체층 보다 굴절률이 작은 복수개의 마이크로 렌즈들이 어레이되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서, 상기 돌출부들은, 열과 행으로 배열된 마이크로 렌즈들, 원기둥들과 사각기둥들 중 선택된 어느 하나 또는, 스트라이프 형태로 배열된 직사각 기둥들과 반원 기둥들 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 돌출부들은, ITO, ZnO, IrO, SiO2, Si3N4, Al, Ni, Au, Co와 Cr 중 선택된 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 5 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈의 직경(d1), 원기둥의 직경(d2), 사각기둥의 폭(W1), 반원기둥의 선폭(W2)과 직각기둥의 선폭(W3)은 1㎚ ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제 5 항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈의 직경(d1), 원기둥의 직경(d2), 사각기둥의 폭(W1), 반원기둥의 선폭(W2)과 직각기둥의 선폭(W3)은 1㎚ ~ 100㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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