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유기 전계발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015030880
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요약 본 발명은 유기발광층의 손상을 방지함으로써 발광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기전계발광소자는 기판 상에 형성된 제1 전극과; 유기발광층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 중첩되게 형성된 제2 전극과; 상기 제1 전극과 유기발광층 사이에 형성된 버퍼층을 구비하고, 상기 유기발광층은 정공주입층과. 상기 정공주입층 상에 형성된 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층과, 상기 발광층 상에 형성된 전자 수송층과, 상기 전자 수송층 상에 형성된 전자 주입층을 구성되고, 상기 버퍼층은 상기 제1 전극과 상기 정공주입층 사이에 위치하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01)
CPC H01L 51/5008(2013.01) H01L 51/5008(2013.01) H01L 51/5008(2013.01) H01L 51/5008(2013.01)
출원번호/일자 1020040007256 (2004.02.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0705311-0000 (2007.04.03)
공개번호/일자 10-2005-0079110 (2005.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20070410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민수 대한민국 대구수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이수웅 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)(특허법인로얄)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0046391-23
2 출원심사청구서
Request for Examination
2004.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2004-0541287-16
3 보정요구서
Request for Amendment
2004.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0081617-16
4 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2004.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0571665-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0360380-24
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0585495-95
7 의견서
Written Opinion
2006.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0585498-21
8 대리인변경신고서
Agent change Notification
2006.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0811429-83
9 심사처리지연에대한안내문
Notification of Delay of Processing of Examination
2006.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0774450-76
10 등록결정서
Decision to grant
2007.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0012511-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 제1 전극과; 유기발광층을 사이에 두고 상기 제1 전극과 중첩되게 형성된 제2 전극과; 상기 제1 전극과 유기발광층 사이에 형성된 버퍼층을 구비하고,상기 유기발광층은 정공주입층과
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 인듐을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
6 6
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계와;상기 제1 전극 상에 인듐을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층 상에 유기발광층을 형성하는 단계와;상기 유기발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유기발광층을 형성하는 단계는 상기 버퍼층 상에 순차적으로 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는 상기 제1 전극 상에 인듐을 증착하는 단계와; 상기 인듐이 증착된 제1 전극을 220~300도 정도의 환경에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
8 8
삭제
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 제1 전극 물질로는 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO) 및 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
11 10
제 6 항에 있어서, 상기 버퍼층은 10~100Å 정도의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.