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질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법

  • 기술번호 : KST2015030920
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히, 질화물 반도체 레이저 다이오드의 n쪽에 전류 제한 구조를 웨이퍼 본딩 기술을 이용하여 형성할 때 상기 웨이퍼 본딩이 용이하도록 웨이퍼 벤딩을 줄이는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 질화물 에피 레이어 상부 표면에 격자 무늬 패턴을 갖는 에칭 마스크를 형성하는 단계와, 상기 격자 무늬 패턴을 갖는 에칭 마스크를 이용하여 상기 질화물 에피 레이어 상부 표면을 식각하는 단계와, 상기 에칭 마스크를 제거하여 격자 무늬 패턴이 식각된 질화물 에피 레이어 구조를 얻는 단계를 포함하여 이루어짐으로써, n-타입 층에 전류 제한 구조를 형성하기 위한 웨이퍼 본딩 기술을 보다 용이하게 적용하는 효과가 있다. 질화물 반도체 레이저 다이오드, 질화물 에피 레이어, 웨이퍼 본딩
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/3218(2013.01) H01S 5/3218(2013.01) H01S 5/3218(2013.01) H01S 5/3218(2013.01)
출원번호/일자 1020040007263 (2004.02.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0991784-0000 (2010.10.28)
공개번호/일자 10-2005-0079117 (2005.08.09) 문서열기
공고번호/일자 (20101103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성원 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0046430-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0069405-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0016971-18
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0355983-55
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
웨이퍼 본딩 기술을 이용하여 질화물 반도체 레이저 다이오드의 n-타입 층에 전류 제한 구조를 형성하기 위한 방법에 있어서, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드의 질화물 에피 레이어 상부 표면에 격자 무늬 패턴을 갖는 에칭 마스크를 형성하는 단계와, 상기 격자 무늬 패턴을 갖는 에칭 마스크를 이용하여 상기 질화물 에피 레이어 상부 표면을 식각하는 단계와, 상기 에칭 마스크를 제거하여 격자 무늬 패턴이 식각된 질화물 에피 레이어 구조를 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에칭 마스크 형성 단계는, 상기 질화물 에피 레이어 상부에 포토 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 도포된 포토 레지스터에 격자 무늬 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 UV 노광하는 단계와, 상기 UV 노광된 면을 현상하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 포토 레지스터 도포 단계 이전에 상기 질화물 에피 레이어 상부에 메탈 또는 유전막을 증착하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 질화물 에피 레이어 상부 격자 무늬 패턴이 식각된 층은 p-GaN층 혹은 p-오믹 메탈 층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법
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