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마그네트론

  • 기술번호 : KST2015030921
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네트론에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마그네트론의 에이실 및 에프실의 재질을 개선하여, 상기 에이실 및 에프실로 인해 무효자기장이 발생되지 않아 성능이 향상되는 마그네트론에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명은 마그네트론의 에이실 및 에프실의 재질을 상대투자율이 공기와 비슷한 비자성체로 하여, 마그네트론의 에이실 및 에프실에 의해서 발생되는 무효 자기장을 없에 자기장의 손실을 줄임으로써, 마그네트론의 성능을 높일 수 있고, 비용이 절감되는 효과가 있는 마그네트론을 제공한다. 마그네트론, 자기장, 무효자기장, 에이실, 에프실, 비자성체
Int. CL H01J 23/15 (2000.01)
CPC H01J 23/15(2013.01) H01J 23/15(2013.01) H01J 23/15(2013.01) H01J 23/15(2013.01)
출원번호/일자 1020040007817 (2004.02.06)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0587312-0000 (2006.05.30)
공개번호/일자 10-2005-0079721 (2005.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20060608) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.02.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백채현 대한민국 경기도의정부시의정
2 이종수 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 심창섭 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 **, 현대빌딩 *층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0050097-54
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0480363-05
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0689458-87
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0773351-05
5 의견서
Written Opinion		 2005.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0773354-31
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0235440-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자계에 의해 고주파 에너지를 발생시키는 고주파 발생부와, 상기 고주파 발생부에 전원을 인가하기 위한 입력부와, 상기 고주파 발생부에서 고주파 에너지를 방출하기 위한 고주파 출력부와, 상기 고주파 발생부와 입력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에프실과, 상기 고주파 발생부와 고주파 출력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에이실로 구성된 마그네트론에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나는 비자성체의 재질로 이루어져 무효자기장의 발생을 방지하는 것을 특징으로 하는 마그네트론
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느 하나는 상대투자율이 1±0
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 구리인 것을 특징으로 하는 마그네트론
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 황동인 것을 특징으로 하는 마그네트론
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 은인 것을 특징으로 하는 마그네트론
6 6
제 2항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 금인 것을 특징으로 하는 마그네트론
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 비자성 스테인레스 스틸(Sus 304)인 것을 특징으로 하는 마그네트론
8 7
제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 비자성 스테인레스 스틸(Sus 304)인 것을 특징으로 하는 마그네트론
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.