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n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015030996
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판인 p형 갈륨아세나이드층과, UV-가시광 영역의 디텍터로서 상기 p형 갈륨아세나이드층 상에 형성된 n형 ZnO층과, 상기 n형 ZnO층 상의 일측에 형성된 오믹 컨택트 n형 메탈과, 상기 p형 갈륨아세나이드층의 하부에 형성된 오믹 컨택트 p형 메탈과, 수광된 빛의 투과층으로서 상기 n형 ZnO층에 형성된 실리콘 나이트라이드 절연층을 포함하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0735 (2012.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01)
CPC H01L 31/109(2013.01) H01L 31/109(2013.01) H01L 31/109(2013.01) H01L 31/109(2013.01) H01L 31/109(2013.01)
출원번호/일자 1020040014064 (2004.03.02)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1039997-0000 (2011.06.01)
공개번호/일자 10-2005-0088663 (2005.09.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.17)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광철 대한민국 광주광역시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0087062-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0095792-49
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0037587-14
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0445305-64
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0694831-95
12 등록결정서
Decision to grant
2011.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0254957-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 갈륨아세나이드층과, UV-가시광 영역의 디텍터로서 상기 p형 갈륨아세나이드층 상에 형성된 n형 ZnO층과, 상기 n형 ZnO층 상의 일측에 형성된 오믹 컨택트 n형 층과, 상기 p형 갈륨아세나이드층의 하부에 형성된 오믹 컨택트 p형 층과, 수광된 빛의 투과층으로서 상기 n형 ZnO층에 형성된 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 p형 갈륨아세나이드층은 500 ~ 700㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 n형 ZnO층은 80 ~ 120nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드
4 4
기판으로서 p형 갈륨아세나이드층을 소정의 두께로 가공하는 단계와, 상기 p형 갈륨아세나이드층 상에 n형 ZnO층을 성장시키는 단계와, 상기 n형 ZnO층 상에는 상부 n형 전극으로서 오믹 컨택트 n형 층을 형성하는 단계와, 상기 p형 갈륨아세나이드층의 하부에는 하부 p형 전극으로서 오믹 컨택트 p형 층을 형성하는 단계와, 상기 n형 ZnO층 상에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 n형 ZnO층은 스퍼터링법 또는 MOCVD법에 의해 상기 p형 갈륨아세나이드층 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 n-ZnO/p-GaAs 이종접합 포토 다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.