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질화물 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015031012
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되고, 에피텍셜 산화알루미나, AlInGa-O, 에피텍셜 알루미늄옥시나이트라이드, (AlInGa)-(OxN1-x) 중 적어도 하나 이상의 재질을 포함하여 이루어지는 에피텍시얼 산화물 박막인 핵생성층; 및 상기 핵생성층 상에 형성된 단결정 GaN 박막을 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02565(2013.01) H01L 21/02565(2013.01)
출원번호/일자 1020040014065 (2004.03.02)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0678857-0000 (2007.01.29)
공개번호/일자 10-2005-0088664 (2005.09.07) 문서열기
공고번호/일자 (20070205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.02)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이현휘 대한민국 광주광역시광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0087063-68
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0615634-06
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0061734-67
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0148095-52
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0227748-44
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0301408-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0380836-64
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0473881-67
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0544535-28
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0631504-32
13 의견서
Written Opinion
2006.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0723664-19
14 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0723663-63
15 등록결정서
Decision to grant
2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0044047-46
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되고, 에피텍셜 산화알루미나, AlInGa-O, 에피텍셜 알루미늄옥시나이트라이드, (AlInGa)-(OxN1-x) 중 적어도 하나 이상의 재질을 포함하여 이루어지는 에피텍시얼 산화물 박막인 핵생성층; 및상기 핵생성층 상에 형성된 단결정 GaN 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 핵생성층은, 일측은 옥시나이트라이드계이고 타측은 산화되지 않은 질화물의 이중구조인 핵생성층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 핵생성층 상에 질화물 핵생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
5 5
제 4항에 있어서,상기 질화물 핵생성층은 질화물 단층막으로 이루어지거나 여러 종류의 질화물층이 적층된 다층막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
6 6
기판 상에 질화물 박막을 증착시키는 제 1 단계와, 상기 질화물 박막을 산소 분위기에서 열처리하여 산화시키고 에피텍시얼 산화물 박막으로 변화시켜 핵생성층을 형성하는 제 2 단계와, 상기 핵생성층 상에 단결정 GaN 박막을 성장시키는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 3 단계 전에 핵생성층 상에 질화물 핵생성층을 적층시키는 제 4 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
8 8
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 질화물 박막의 증착 두께는 1 ~ 10000Å로 평탄한 표면을 가진 박막을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
9 9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서 산화시키는 온도는 400℃ 이상 1000℃ 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
10 9
제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서 산화시키는 온도는 400℃ 이상 1000℃ 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.