| 1 |
1
소프트 몰드와의 접촉과 광의 노출에 의해 성형되며, 20∼50wt%의 액상 고분자 전구체, 40∼60wt%의 광경화성 고분자 및 1∼10wt%의 광개시제를 포함하는 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
친수성인 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
액상 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 포함하는 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 광경화성 고분자는,
액상 아크릴레이트(acrylate)와 액상 노볼락 수지(Novolac resin) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,
상기 광개시제는,
2,2-dimethoxy-2phenylacetophenone을 포함하는 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
분자량이 600 이하인 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,
상기 소프트 몰드와의 접촉과 광의 노출에 의해 성형된 에치레지스트 패턴들 사이의 개구영역 내에는 상기 에치레지스트의 잔막이 없는 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서,
상기 개구영역의 폭은 1μm∼1000μm 이내인 것을 특징으로 하는 에치레지스트
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,
상기 에치레지스트의 유전상수는 2
|
| 12 |
12
20∼50wt%의 액상 고분자 전구체, 40∼60wt%의 광경화성 고분자 및 1∼10wt%의 광개시제를 포함하는 에치레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계와;
상기 에치레지스트 용액 상에 소프트 몰드를 가압함과 동시에 에치레지스트 용액에 광을 조사하여 에치레지스트 패턴을 상기 기판 상에 형성하는 단계와;
상기 에치레지스트 패턴으로부터 상기 소프트 몰드를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,
상기 기판은,
상기 에치레지스트 용액이 도포되는 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서,
상기 에치레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 단계와;
상기 에치레지스트 패턴을 제거하여 박막 패턴을 상기 기판 상에 잔류시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
제 12 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
친수성인 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 17 |
17
제 12 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
액상 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 포함하고;,
상기 광경화성 고분자는 액상 아크릴레이트(acrylate)와 액상 노볼락 수지(Novolac resin) 중 적어도 어느 하나를 포함하며;
상기 광개시제는 2,2-dimethoxy-2phenylacetophenone을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 18 |
18
청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 19 |
19
제 12 항에 있어서,
상기 에치레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 단계는,
이웃하는 상기 에치레지스트 패턴들 사이의 개구영역과 반비례 관계의 두께로 상기 에치레지스트 용액을 상기 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 20 |
20
제 19 항에 있어서,
상기 개구영역 내에는 상기 에치레지스트 패턴의 잔막이 없는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조방법
|
| 21 |
21
청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 22 |
22
청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 23 |
23
20∼50wt%의 액상 고분자 전구체, 40∼60wt%의 광경화성 고분자 및 1∼10wt%의 광개시제를 포함하는 에치레지스트 용액을 기판 상에 도포하는 도포장치와;
상기 에치레지스트 용액 상에 가압되는 소프트 몰드와;
상기 에치레지스트 용액 상에 상기 소프트 몰드가 가압되는 동안 상기 에치레지스트 용액에 광을 조사하는 노광장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서,
상기 기판 상에는 상기 에치레지스트 용액이 도포되는 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 25 |
25
제 24 항에 있어서,
상기 소프트 몰드의 가압과 상기 노광에 의해 상기 기판 상에 남는 에치레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 박막을 식각하는 식각장치와;
상기 에치레지스트 패턴을 제거하는 스트립장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 26 |
26
삭제
|
| 27 |
27
제 23 항에 있어서,
상기 액상 고분자 전구체는,
액상 폴리에틸렌글리콜(Polyethylene glycol)을 포함하고;,
상기 광경화성 고분자는 액상 아크릴레이트(acrylate)와 액상 노볼락 수지(Novolac resin) 중 적어도 어느 하나를 포함하며;
상기 광개시제는 2,2-dimethoxy-2phenylacetophenone을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 28 |
28
청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 29 |
29
제 25 항에 있어서,
상기 도포장치는 이웃하는 상기 에치레지스트 패턴들 사이의 개구영역과 반비례 관계의 두께로 상기 에치레지스트 용액을 상기 기판 상에 도포하는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 30 |
30
제 29 항에 있어서,
상기 개구영역 내에는 상기 에치레지스트 패턴의 잔막이 없는 것을 특징으로 하는 평판표시소자의 제조장치
|
| 31 |
31
청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
| 32 |
32
청구항 32은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
|
