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반도체 레이저 다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015031018
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 광도파로 하부에 대응되는 활성층영역의 밴드갭을 그 영역을 제외한 나머지 활성층영역의 밴드갭보다 작게 하도록 함으로써 단일모드로 발진할 수 있는 전류범위를 확장시키고, 더불어 광출력효율을 증대시키는데, 이를 위해 본 발명은, 기판상부에 n-클래드층, 활성층, 제1p-클래드층, 식각저지층, 제2p-클래드층을 순차적으로 형성하는 제1과정; 상기 제2p-클래드층의 일부를 소정의 마스크패턴에 따라 식각하여 리지를 형성하는 제2과정; 상기 제1과정에서 형성한 식각저지층과 상기 제2과정에서 형성한 리지를 포함하는 상부에 소정의 유전체막을 형성하는 제3과정; 상기 제3과정에서 형성한 유전체막과 상기 리지의 하부에 대응되는 영역을 제외한 활성층의 나머지 영역을 상호혼합(Intermixing)시키고 유전체막을 제거하는 제4과정; 상기 제2과정에서 형성된 리지의 상부에 해당되는 영역을 제외하고, 상기 제4과정에서 유전체막이 제거된 나머지 영역에 전류방지층을 형성하는 제5과정; 상기 제2과정에서 형성한 리지와 상기 제5과정에서 형성한 전류방지층의 상부를 포함하는 영역에 p패드층을 형성하는 제6과정을 통해 제조되는 반도체레이저다이오드를 개시한다. 리지, 웨이브, 반도체, 레이저, 다이오드
Int. CL H01S 5/026 (2006.01)
CPC H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01) H01S 5/0264(2013.01)
출원번호/일자 1020040008371 (2004.02.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1026924-0000 (2011.03.28)
공개번호/일자 10-2005-0080299 (2005.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여덕호 대한민국 경기도시흥시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0053127-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0065398-15
4 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0065045-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0016973-09
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0355982-10
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0655087-73
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0655104-62
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0593143-46
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0068612-76
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0068610-85
15 등록결정서
Decision to grant
2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0161670-65
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상부에 n-클래드층, 활성층, 제1p-클래드층, 식각저지층, 제2p-클래드층을 순차적으로 형성하는 제1과정; 상기 제2p-클래드층의 일부를 소정의 마스크패턴에 따라 식각하여 리지를 형성하는 제2과정; 상기 제1과정에서 형성한 식각저지층과 상기 제2과정에서 형성한 리지를 포함하는 상부에 소정의 유전체막을 형성하는 제3과정; 상기 제3과정에서 형성한 유전체막과 상기 리지의 하부에 대응되는 영역을 제외한 활성층의 나머지 영역을 상호혼합(Intermixing)시키고 유전체막을 제거하는 제4과정; 상기 제2과정에서 형성된 리지의 상부에 해당되는 영역을 제외하고, 상기 제4과정에서 유전체막이 제거된 나머지 영역에 전류방지층을 형성하는 제5과정; 상기 제2과정에서 형성한 리지와 상기 제5과정에서 형성한 전류방지층의 상부를 포함하는 영역에 p패드층을 형성하는 제6과정을 포함하여 이루어지는, 반도체 레이저 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제4과정은; 상기 제3과정에서 형성한 유전체막과 상기 제1과정에서 형성한 활성층의 일부 영역을 IFVD(impurity free vacancy diffusion)방법으로 상호혼합(Intermixing)시키고 유전체막을 제거하는 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유전체막은; 실리콘산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는, 반도체 레이저 다이오드 제조방법
4 4
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