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전계 방출 소자

  • 기술번호 : KST2015031164
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요약 본 발명은 전계 방출 에미터로 탄소 나노 튜브를 사용하는 카운터 전극 언더게이트 구조에서 캐소드 전극과 동일 평면상에 형성된 게이트 전극 사이에 차폐 전극을 형성하여 탄소 나노 튜브와 캐소드 전극 그리고 절연층에 의해 형성된 삼중점을 게이트 전극에 의한 전계로부터 차폐하고, 전계 방출의 균일성을 향상시킬 수 있는 전계 방출 소자에 관한 것으로, 유리기판 상부에 형성된 게이트 라인; 상기 게이트 라인 상부에 상기 게이트 라인의 일부가 노출되도록 관통홀(via)이 형성된 절연층; 상기 절연층 상부의 일부에 탄소 나노 튜브가 형성된 캐소드 전극; 상기 노출된 게이트 라인과 연결되고, 상기 캐소드 전극과 동일 평면 상에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 위치하고, 상기 절연층 상부의 일부에 형성된 차폐 전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01)H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020040021317 (2004.03.29)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1000662-0000 (2010.12.06)
공개번호/일자 10-2005-0096053 (2005.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20101210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이용한 대한민국 서울특별시서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0129991-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0101679-85
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0101678-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.03.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0018041-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0413979-11
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0643731-43
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0643733-34
12 등록결정서
Decision to grant
2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0541632-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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유리기판 상부에 형성된 게이트 라인; 상기 게이트 라인 상부에 상기 게이트 라인의 일부가 노출되도록 관통홀(via)이 형성된 절연층; 상기 절연층 상부의 일부에 탄소 나노 튜브가 형성된 캐소드 전극; 상기 노출된 게이트 라인과 연결되고, 상기 캐소드 전극과 동일 평면 상에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 캐소드 전극 사이에 위치하고, 상기 절연층 상부의 일부에 형성된 차폐 전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전계 방출 소자
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