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질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015031188
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판 상부에 상호 이격되며, 기판 상부에서 보았을 때, 120°로 절곡된 절곡부를 적어도 하나 이상 구비하고 있는 복수개의 요홈을 형성하는 단계와; 상기 복수개의 요홈이 형성된 사파이어 기판 상부에 N타입 질화물 반도체층, 활성층과 P타입 질화물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 P타입 질화물 반도체층에서 N타입 질화물 반도체층의 일부까지 메사식각하고, 메사식각된 상기 N타입 질화물 반도체층 상부에 N타입 전극을 형성하고, 상기 P타입 질화물 반도체층 상부에 P타입 전극을 형성하는 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 질화물 반도체 박막과 사파이어 기판의 굴절율 차이에 의하여 질화물 반도체 박막과 사파이어 기판 사이에서 발생하는 광의 전반사를 감소시켜, 외부로 방출하는 광량을 증가시킬 수 있는 효과가 발생한다. 전반사, 광, 요홈, 사파이어
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020040016371 (2004.03.11)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1063696-0000 (2011.09.01)
공개번호/일자 10-2005-0091183 (2005.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김민홍 대한민국 경기도고양시덕양구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0100839-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0146627-10
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0147145-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0552253-65
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0009427-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0009426-63
10 등록결정서
Decision to grant
2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0412063-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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사파이어 기판 상부에 상호 이격되며, 기판 상부에서 보았을 때, 120°로 절곡된 절곡부를 적어도 하나 이상 구비하고 있는 복수개의 요홈을 형성하는 단계와; 상기 복수개의 요홈이 형성된 사파이어 기판 상부에 N타입 질화물 반도체층, 활성층과 P타입 질화물 반도체층을 순차적으로 적층하는 단계와; 상기 P타입 질화물 반도체층에서 N타입 질화물 반도체층의 일부까지 메사식각하고, 메사식각된 상기 N타입 질화물 반도체층 상부에 N타입 전극을 형성하고, 상기 P타입 질화물 반도체층 상부에 P타입 전극을 형성하는 단계로 구성된 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 질화물 반도체층은, 질화갈륨(GaN) 또는 AlxInyGa1-x-yN ( 0 ≤x ≤0
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제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 InGaN 또는 AlGaInN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수개의 요홈은 동일한 형상 또는 적어도 2종류 이상의 다른 형상인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.