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발광 다이오드의 제조 방법

기술번호 : KST2015031198
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, P-GaN층 상부에 N+ 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹 컨택용 및 반사용 전극을 형성하고, 사파이어 기판을 제거함으로써, 발광 다이오드의 광전 특성을 향상시키고, 발광 다이오드를 열전도율이 우수한 전도성 기판에 접합시킴으로써, 소자의 열특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 다이오드, 솔더, 오믹, 반사, 사파이어
Int. CL	H01L 33/12 (2014.01)
CPC	H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자	1020040015431 (2004.03.08)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0593536-0000 (2006.06.19)
공개번호/일자	10-2005-0090186 (2005.09.13) 문서열기
공고번호/일자	(20060628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.03.08)
심사청구항수	7

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장준호	대한민국	경기도안양시동안구
2	하준석	대한민국	서울특별시서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3	조담	대한민국	서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.03.08	수리 (Accepted)	1-1-2004-0095578-02
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2005.10.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2005.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2005-0076670-03
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2005.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0613900-00
5	의견서 Written Opinion	2006.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2006-0064308-45
6	대리인선임신고서 Notification of assignment of agent	2006.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2006-0064299-11
7	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.01.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0064336-13
8	등록결정서 Decision to grant	2006.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0330645-81
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 사파이어 기판 상부에 N-GaN층, 활성층과 P-GaN층을 순차적으로 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 N+ 질화물 반도체층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹 컨택(Ohmic contact)용 및 반사용 전극을 형성하는 제 2 단계와; 상기 오믹 컨택용 및 반사용 전극 상부에 솔더를 증착하는 제 3 단계와; 하부에 UBM(Under Bump Metalization)층이 형성된 전도성 기판을 상기 UBM층이 상기 솔더 상부에 접촉되도록 올려놓고 본딩하는 제 4 단계와; 상기 사파이어 기판 하부에서 레이저광을 조사하여, 상기 N-GaN층으로부터 상기 사파이어 기판을 분리시키는 리프트 오프(Lift-off) 공정을 수행하는 제 5 단계와; 상기 N-GaN층 하부에 N-메탈층을 형성하는 제 6 단계로 구성된 발광 다이오드의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 N+ 질화물 반도체층은, GaN층, InGaN층, AlGaN층과 InAlGaN층 중 선택된 어느 하나의 층 또는 둘 이상이 조합되어 적층된 층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 N+ 질화물 반도체층은, 질화물 반도체층에 1018 ~ 1019/㎝3의 n타입 캐리어를 도핑하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 n+ 질화물 반도체층의 두께는 20 ~ 100Å인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 전도성 기판은, Si, Cu, W와 Mo 중 선택된 어느 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 오믹 컨택용 및 반사용 전극은, 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹용 전극과 반사용 전극을 순차적으로 형성하거나 또는, 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹용 전극과 반사용 전극의 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서, 상기 오믹용 전극 물질은, Se, Pt, Ir, Ni, Pd, Au와 Co 중 선택된 어느 하나이며, 상기 반사용 전극 물질은, Ag, Rh, Cu와 Al 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법
8	7 제 6 항에 있어서, 상기 오믹용 전극 물질은, Se, Pt, Ir, Ni, Pd, Au와 Co 중 선택된 어느 하나이며, 상기 반사용 전극 물질은, Ag, Rh, Cu와 Al 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-0593536-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20040308 출원 번호 : 1020040015431 공고 연월일 : 20060628 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060609 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 발광 다이오드의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20180620

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	459,000 원	2006년 06월 16일	납입
제 4 년분	금 액	194,000 원	2009년 03월 31일	납입
제 5 년분	금 액	194,000 원	2010년 03월 31일	납입
제 6 년분	금 액	194,000 원	2011년 03월 28일	납입
제 7 년분	금 액	366,000 원	2012년 05월 21일	납입
제 8 년분	금 액	366,000 원	2013년 05월 14일	납입
제 9 년분	금 액	366,000 원	2014년 05월 23일	납입
제 10 년분	금 액	625,000 원	2015년 05월 22일	납입
제 11 년분	금 액	625,000 원	2016년 05월 24일	납입
제 12 년분	금 액	625,000 원	2017년 05월 24일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.03.08	수리 (Accepted)	1-1-2004-0095578-02
2	선행기술조사의뢰서	2005.10.14	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2005.11.18	수리 (Accepted)	9-1-2005-0076670-03
4	의견제출통지서	2005.11.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2005-0613900-00
5	의견서	2006.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2006-0064308-45
6	대리인선임신고서	2006.01.26	수리 (Accepted)	1-1-2006-0064299-11
7	명세서등보정서	2006.01.26	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0064336-13
8	등록결정서	2006.06.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0330645-81
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015031198
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	발광 다이오드의 제조 방법
기술개요	본 발명은 발광 다이오드의 제조 방법에 관한 것으로, P-GaN층 상부에 N+ 질화물 반도체층을 형성하고, 상기 N+ 질화물 반도체층 상부에 오믹 컨택용 및 반사용 전극을 형성하고, 사파이어 기판을 제거함으로써, 발광 다이오드의 광전 특성을 향상시키고, 발광 다이오드를 열전도율이 우수한 전도성 기판에 접합시킴으로써, 소자의 열특성을 향상시킬 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 다이오드, 솔더, 오믹, 반사, 사파이어
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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