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적어도 하나 이상의 관통홀이 사파이어 기판에 형성되어 있고;
상기 사파이어 기판 상부에 버퍼층이 형성되어 있고;
상기 버퍼층 상부에 N-질화물계 화합물 반도체층, 활성층, P-질화물계 화합물 반도체층과 P-전극이 순차적으로 적층되어 있고;
상기 적어도 하나 이상의 관통홀이 각각 전체적으로 채워지도록, 상기 버퍼층의 하부에 N-전극이 형성된 발광 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 P-전극은,
상기 P-질화물계 화합물 반도체층 상부에 상호 이격되어 적어도 둘 이상 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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사파이어 기판에 기판을 관통하는 패턴을 형성하는 단계와;
상기 기판을 관통하는 패턴이 형성된 사파이어 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계와;
상기 버퍼층 상부에 N-질화물계 화합물 반도체층, 활성층과 P-질화물계 화합물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 P-질화물계 화합물 반도체층 상부에 P-전극을 형성하는 단계와;
상기 관통하는 패턴 내부에 노출된 상기 버퍼층의 하부에 N-전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,
상기 기판을 관통하는 패턴은 스트라이프(Stripe)형 또는 격자형인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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5
제 4 항에 있어서,
상기 기판을 관통하는 패턴의 관통된 폭(W) 및 상기 기판을 관통하는 패턴(110) 사이 간격(L)은,
10 ~ 30㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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6
제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 버퍼층은,
도핑되지 않은 질화물계 화합물 반도체층을 종방향 및 횡방향 에피택셜(Epitaxial) 성장시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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사파이어 기판에 기판을 관통하는 상호 이격된 복수개의 관통홀을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 관통홀이 형성된 사파이어 기판 상부에 버퍼층을 형성하는 단계와;
상기 버퍼층 상부에 N-질화물계 화합물 반도체층, 활성층, P-질화물계 화합물 반도체층과 P-전극을 형성하는 단계와;
상기 복수개의 관통홀 내부에 노출된 상기 버퍼층의 하부 각각에 N-전극을 형성하는 단계와;
상기 N-전극이 포함되는 발광 소자 칩으로 분리하기 위하여, 상기 P-전극에서 상기 사파이어 기판까지 절단하는 단계로 구성된 발광 소자의 제조 방법
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