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레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015031212
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요약 본 발명은 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 레이저 다이오드의 리지(Ridge)의 상부를 마스킹하고, 이온 임플랜테이션(Ion implantation) 공정을 수행하여 리지의 하부의 다중 양자 우물층 영역을 제외한, 나머지 다중 양자 우물층 영역에 이온을 주입하여, 고차 모드의 광을 흡수하게 함으로써, 고차 모드 발진을 지연시켜 단일 모드의 발진 영역을 확장시킬 수 있는 효과가 발생한다. 레이저, 다이오드, 이온 임플랜테이션, 단일, 고차, 지연, 흡수
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01)
출원번호/일자 1020040016630 (2004.03.11)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0579407-0000 (2006.05.04)
공개번호/일자 10-2005-0091280 (2005.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20060512) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.03.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여덕호 대한민국 경기도시흥시
2 최현진 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0102275-38
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0526651-17
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2005-0744896-96
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0026157-67
5 의견서
Written Opinion
2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0026139-45
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2006.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0026102-67
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2006.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0078624-30
8 등록결정서
Decision to grant
2006.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0257350-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
N 질화물 반도체 기판 상부에 다중 양자 우물층이 포함된 에피층이 형성되어 있고, 이 에피층 상부에 돌출되어 리지(Ridge)가 형성되어 있고, 리지가 존재하지 않는 에피층 상부에 전류방지층이 형성되어 있고, 전류방지층과 리지 상부에 P전극이 형성되어 있고, N 질화물 반도체 기판 하부에 N전극이 형성되어 있는 레이저 다이오드의 제조 방법에 있어서, 상기 리지 상부를 마스킹하고, 이온 임플랜테이션(Ion implantation) 공정을 수행하여 상기 리지 하부의 다중 양자 우물층 영역을 제외한, 나머지 다중 양자 우물층 영역으로 이온을 주입하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 이온 임플랜테이션 공정으로 주입되는 이온은, 실리콘(Si), 프로톤(Proton), 보론(Boron)과 포스퍼러스(Phosphorous) 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 리지 상부를 마스킹하는 것은, 상기 리지 상부에 유전체(Dielectric)막 또는 포토 레지스터(Photo resistor)막을 형성하고, 이를 패터닝하여 마스크를 형성하는 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조 방법
4 4
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5 4
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.