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기판 상부에 버퍼층, n타입 GaN층, 활성층과 p타입 GaN층이 순차적으로 적층되어 있고;
상기 p타입 GaN층 상부에 InxGa1-xN층이 형성되어 있고;
상기 InxGa1-xN층에서 n타입 GaN층 일부까지 메사(Mesa)식각되어 있고;
상기 InxGa1-xN층 일부 상부에 요철 형상의 광 추출층(Light extraction layer)이 형성되어 있고;
상기 광 추출층을 감싸며, 상기 InxGa1-xN층의 상부에 투명전극이 형성되어 있고;
상기 광 추출층이 형성되지 않은 투명전극 상부에 p타입 금속층이 형성되어 있고;
상기 메사 식각된 n타입 GaN층 상부에 n타입 금속층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 발광소자
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제 1 항에 있어서,
상기 광 추출층은
상기 InxGa1-xN층을 노출시키는 복수개의 개구들을 갖는 막 또는 상기 InxGa
1-xN층 상부에 상호 이격된 복수개의 돌출부들로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 발광소자
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제 2 항에 있어서,
상기 개구들 및 돌출부들의 평면 형상은,
스트라이프(Stripe), 원과 다각형 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 발광소자
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 추출층은
GaN, ITO, ZnO, IZO, AZO, CdO와 MgO 중 선택된 어느 하나의 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 발광소자
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 추출층의 굴절률은,
상기 InxGa1-xN층 굴절률의 0
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6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투명전극은,
ITO, ZnO, IZO, AZO, CdO와 MgO 중 선택된 어느 하나의 물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물계 화합물 발광소자
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