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히트 싱크 및 그 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015031396
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요약 본 발명에 따른 히트 싱크 및 그 표면처리방법은 알루미늄 합금으로 성형된 히트 싱크의 표면을 구리로 코팅하거나 히트 싱크를 구리로 성형하여 상기 히트 싱크의 표면에 구리 산화물인 미세 와이어를 성장시키기 때문에 상기 히트 싱크의 표면적이 넓어져서 대류 및 복사에 의해 열전달율이 증가되고, 상기 히트 싱크의 표면 거칠기가 커져서 난반사율이 증가된다. 히트 싱크, 표면처리, 열전도성, 미세 와이어, 나노
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H05K 7/20 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040030097 (2004.04.29)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0712837-0000 (2007.04.24)
공개번호/일자 10-2005-0104712 (2005.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070502) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.04.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광협 대한민국 서울특별시강동구
2 정문기 대한민국 서울특별시영등포구
3 이정호 대한민국 경기도고양시일산구
4 류호선 대한민국 서울특별시마포구
5 김종훈 대한민국 서울특별시금천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0181445-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.12.02 수리 (Accepted) 9-1-2005-0079806-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0028757-34
5 의견서
Written Opinion
2006.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0185229-96
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0185232-23
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0427331-02
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0699903-17
9 의견서
Written Opinion
2006.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0779200-94
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0779198-89
11 등록결정서
Decision to grant
2007.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0043521-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발열소자에 부착되는 베이스와, 상기 베이스에 적어도 하나 이상 설치된 방열판을 포함하고,상기 베이스 또는 방열판의 표면에 산화용액에 의해 산화된 금속 산화물인 미세 와이어가 다수 성장된 것을 특징으로 하는 히트 싱크
2 2
제 1 항에 있어서,상기 미세 와이어는 여러 금속 중 구리 산화물인 것을 특징으로 하는 히트 싱크
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 미세 와이어는 길이가 상기 베이스 또는 방열판의 표면으로부터 수 ㎛미만인 것을 특징으로 하는 히트 싱크
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 미세 와이어는 단면적의 폭이 10nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 히트 싱크
5 5
히트 싱크의 표면을 금속으로 코팅하는 제1단계와; 상기 금속으로 코팅된 히트 싱크를 금속을 산화시키는 산화용액에 담가 금속 산화물인 미세 와이어를 성장시키는 제2단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
7 7
구리 재질로 성형된 히트 싱크를 구리를 산화시키는 산화용액에 담가 구리 산화물인 미세 와이어를 성장시키는 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
8 8
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세 와이어의 성장온도는 60 내지 110℃인 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
9 9
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 미세 와이어의 성장시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
10 10
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화용액은 NaOH 또는 NaClO2 인 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
11 10
제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화용액은 NaOH 또는 NaClO2 인 것을 특징으로 하는 히트 싱크의 표면처리방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01592059 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01592059 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP17317962 JP 일본 FAMILY
4 US20050253251 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1694245 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP1592059 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1592059 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2005317962 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2005253251 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.