| 1 |
1
기판 위에 수평방향으로 교대로 형성된 p+형 반도체층, p형 반도체층 및 n+형 반도체층; 및
상기 n+형 반도체층 위에 형성된 에미터전극 및 상기 p+형 반도체층 위에 형성된 베이스전극을 포함하는 박막 태양전지
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 다결정 실리콘 박막으로 구성되는 것을 특징으로 박막 태양전지
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 박막은 순차적 수평결정화와 같은 수평결정화방법을 이용하여 수평으로 성장한 그레인으로 구성되는 것을 특징으로 박막 태양전지
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리와 같은 절연기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 n+형 반도체층은 p형 반도체층의 그레인 경계 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 기판 위에 형성되어 입사된 광의 반사를 방지하는 보호막을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지
|
| 7 |
7
기판 위에 p형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 p형 반도체층의 소정영역에 교대로 n+형 반도체층 및 p+형 반도체층을 형성하는 단계;
상기 기판 위에 상기 n+형 반도체층과 연결되는 제 1 전극을 형성하고 상기 p+형 반도체층과 전기적으로 접속하는 제 2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판 위에 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 기판 위에 p형 반도체층을 형성하기 전에 상기 기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서, 상기 p형 반도체층을 형성하는 단계는 상기 기판 위에 p형 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질 실리콘에 수평결정화를 이용하여 수평방향으로 성장한 그레인을 가진 다결정 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 p형 비정질 실리콘층은 500∼5000Å 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘에 순차적 수평결정화를 이용하여 수평방향으로 1㎛이상 성장한 그레인을 가진 다결정 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
제 9 항에 있어서, 상기 p형 다결정 실리콘층의 그레인 경계 영역에 교대로 고농도의 n형 불순물 이온 및 p형 불순물 이온을 주입하여 n+형 실리콘층 및 p+형 실리콘층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 13 |
13
제 7 항에 있어서, 상기 p형 반도체층의 양쪽에 n+형 반도체층 및 p+형 반도체층을 형성하여 샌드위치 구조의 pn 접합 다이오드를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
| 14 |
14
제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 알루미늄과 같은 도전성 금속으로 형성하며 상기 제 2 전극은 티타늄, 팔라듐, 니켈, 구리 및 은과 같은 도전성 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지의 제조방법
|
