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구리가 전착된 실리콘 분말, 이의 제조 방법 및 이를음극으로 사용한 리튬 이차전지

  • 기술번호 : KST2015031545
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구리가 전착(deposition)된 실리콘 분말, 이의 제조방법 및 이를 음극 활물질로 사용하는 리튬 이온 이차 전지에 관한 것이다. 본 발명은 분말 상태의 실리콘 표면에 구리를 균일하게 무전해 전착(electroless deposition)시킴으로써, 기존의 실리콘 분말이 갖는 낮은 전도도 및 부피 팽창에 의한 전극의 열화 문제를 해결할 뿐만 아니라, 이를 음극활물질로 이용한 리튬 이온 이차 전지는 탁월한 음극 특성, 장기적인 사이클 안정성 및 고용량 보존성을 제공할 수 있다. 무전해 전착, 실리콘, 구리, 식각, 음극활물질, 리튬 이온 이차 전지
Int. CL H01M 4/04 (2006.01.01) C23C 18/16 (2006.01.01) C23C 18/38 (2006.01.01) C23C 18/18 (2006.01.01) C23C 18/54 (2006.01.01)
CPC H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01) H01M 4/0402(2013.01)
출원번호/일자 1020040028185 (2004.04.23)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0770133-0000 (2007.10.18)
공개번호/일자 10-2005-0102871 (2005.10.27) 문서열기
공고번호/일자 (20071024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020070090998;
심사청구여부/일자 Y (2006.03.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재우 대한민국 서울특별시 용산구
2 류지헌 대한민국 서울특별시 강북구
3 오승모 대한민국 경기도안양시동안구
4 권오중 대한민국 서울특별시 도봉구
5 이서재 대한민국 대전광역시유성구
6 이기영 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 함현경 대한민국 서울시 송파구 법원로 *** 대명타워 *층(한얼국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-0168681-97
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2006-0167857-26
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0082333-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0751310-10
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2007.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0130942-99
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0130964-93
9 의견서
Written Opinion		 2007.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0204936-83
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0204946-39
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2007.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0379275-17
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2007.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2007-0651760-17
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2007.09.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2007-0036658-38
14 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0536218-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
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a) 분말 상태의 실리콘, 구리 전구체 및 불산을 제공하는 단계; 및 b) 상기 단계 a)에서 제공된 화합물을 수용액상에서 교반하여 실리콘 분말 표면의 일부 또는 전부를 구리로 전착하는 단계 를 포함하는 구리가 전착된 실리콘 분말의 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 단계 a)의 구리 전구체는 황산구리(copper sulfate, CuSO4), 염화구리(copper chloride, CuCl2), 브롬화구리(copper bromide, CuBr2), 플루오르화구리(copper fluoride, CuF2), 아세트산구리 1수화물(copper acetate monohydrate, Cu(CH3COO)2H2O), 부탄산구리(copper butyrate, Cu(CH3CH2CH2COO)2), 염소산구리(copper chlorate, Cu(ClO3)2), 포름산구리(copper formate, Cu(HCOO)2), 질산구리(copper nitrate, Cu(NO3)2), 과염소산구리(copper perchlorate, Cu(ClO4)2), 살리실산구리(copper salicylate, Cu[C6H4(OH)COO]2), 산화제일구리 (cuprous oxide, Cu2O) 및 산화제이구리(cupric oxide, CuO)로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되어진 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 단계 a)의 분말상태 실리콘은 식각 용액에서 교반하여 표면이 식각 처리된 실리콘을 포함하는 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 식각 용액은 불산 및 질산의 혼합물; 불산 및 아질산나트륨(NaNO2)의 혼합물; 불산 및 크롬산(CrO3)의 혼합물; 불산, 황산 및 니트로소늄 테트라플루오로보론(NaBF4)의 혼합물; 및 질산 및 플루오르화암모늄(NH4F)의 혼합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택된 용액인 제조방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 제조방법은 비활성하에서 열처리하는 단계를 b) 단계 후에 추가적으로 포함하는 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 열처리 온도는 100 내지 800℃이며, 열처리 시간은 0
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제 10항에 있어서, 상기 열처리 온도는 100 내지 800℃이며, 열처리 시간은 0
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1 KR100906550 KR 대한민국 FAMILY

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