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질화물 반도체 단위소자들을 트렌치(trench)를 통해 상호 분리시켜 기판 상에 반복적으로 형성하는 제1과정; 상기 제1과정에서 질화물 반도체 단위소자를 분리시키는 트렌치에 크랙방지벽을 형성하는 제2과정; 상기 제2과정에서 형성한 크랙방지벽을 본딩부재를 통해 캐리어 기판과 접합시키는 제3과정; 상기 제1과정 및 제2과정에서 각기 형성한 크랙방지벽 및 질화물 반도체 단위소자와 결합된 기판을 레이저 리프트 오프(laser lift off)시켜 분리하는 제4과정; 상기 제4과정에서 기판과 분리된 크랙방지벽을 제거하는 제5과정을 포함하여 이루어지는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 크랙방지벽은; 그 상면이 질화물반도체 단위 소자의 상면과 동일한 높이를 가지는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제2과정은; 상기 제1과정에서 형성한 반도체단위소자를 포함하여 기판 상부를 전체적으로 금속으로 증착하는 제2-1과정; 상기 제2-1과정에 따라 기판 상부에 전체적으로 증착된 금속 중에서, 트렌치영역을 채우는 금속만 남겨두고 나머지 부위에 증착된 금속은 모두 제거하여 소정의 크랙방지벽을 형성하는 제2-2과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제2과정은; 상기 제1과정에서 형성한 반도체 단위소자 상부에 포토레지스트 마스크를 형성하는 제2-1과정; 상기 제2-1과정에서 형성한 포토레지스트 마스크를 포함하여 소자 상부 전체를 상면 형상과 동일한 형상으로 소정 금속으로 증착하는 제2-2과정; 상기 제2-1과정에서 형성한 포토레지스트 마스크를 제거하여 트렌치에 크랙방지벽을 형성하는 제2-3과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 반도체 단위 소자 제조 방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 금속은; Al, Cu, Cr 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 단위 소자 제조 방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 금속은; Al, Cu, Cr 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 반도체 단위 소자 제조 방법
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