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발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015031725
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요약 본 발명은 발광 다이오드의 질화갈륨층을 요철 구조로 패터닝함으로써, 적층 형성되는 활성층의 면적을 증대하여 광효율을 향상시킨 발광 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 사파이어 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 저속 성장 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 저속 성장 질화갈륨층 상에 제 1 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 제 1 질화갈륨층 상에 포토레지스트를 도포한 다음, 이를 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 따라 상기 제 1 질화갈륨층을 식각하는 단계; 상기 제 1 질화갈륨층 상에 제 2 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 제 2 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 제 3 질화갈륨층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 발광 다이오드, 요철, 활성층, 식각, 광효율
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020040030906 (2004.05.03)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1072099-0000 (2011.10.04)
공개번호/일자 10-2005-0105681 (2005.11.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.11)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤호상 대한민국 광주광역시광산구
2 김성재 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0185979-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0146826-99
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0552254-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0082848-62
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0082847-16
11 등록결정서
Decision to grant
2011.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0412061-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 저속 성장 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 저속 성장 질화갈륨층 상에 제 1 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 제 1 질화갈륨층 상에 포토레지스트를 도포한 다음, 이를 노광 및 현상하여 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 따라 상기 제 1 질화갈륨층을 식각하는 단계; 상기 제 1 질화갈륨층 상에 제 2 질화갈륨층을 형성하는 단계; 상기 제 2 질화갈륨층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및 상기 활성층 상에 제 3 질화갈륨층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로하는 발광 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 질화갈륨층은 요철 형상으로 식각하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 질화갈륨층은 요철 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 활성층은 요철 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 3 질화갈륨층은 요철 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 질화갈륨층은 1~3㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 질화갈륨층은 1~2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법
8 8
기판; 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 버퍼층과, 언도프트 질화갈륨층; 상기 언도프트 질화갈륨층 상에 형성된 요철형 제1 n형 질화갈륨층; 상기 제1 n형 질화갈륨층 상에 형성되고, 상기 제1 n형 질화갈륨층의 두께보다 얇은 두께를 구비하는 요철형 제2 n형 질화갈륨층; 상기 요철 구조를 갖는 제 2 질화갈륨층 상에 형성된 요철형 활성층; 및 상기 요철형 활성층 상에 형성된 요철형 p형 질화갈륨층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 질화갈륨층의 두께는 1~3㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 2 질화갈륨층의 두께는 1~2㎛인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 요철형 활성층의 표면 면적의 증대로 발광량이 증가한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.