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질화물 반도체 단위소자들을 트렌치(trench)를 통해 상호 분리시켜 기판 상에 반복적으로 형성하는 제1과정; 상기 제1과정에서 형성한 질화물 반도체 단위소자들 각각의 상부마다 제1전극을 형성하는 제2과정; 상기 제1과정에서 질화물반도체 단위소자들을 상호 분리시키는 트렌치에 크랙방지벽을 형성하는 제3과정; 상기 제2과정에서 형성된 제1전극과 상기 제3과정에서 형성된 크랙방지벽을 포함하는 상부전체를 전도성 물질로 덮어 소정의 접합강화판을 형성하는 제4과정; 상기 제4과정에서 형성한 접합강화판을 소정의 본딩부재를 통해 캐리어 기판과 접합하는 제5과정; 상기 제1과정과 제3과정에서 각기 형성한 질화물 반도체 단위 소자와 크랙방지벽을 레이저 리프트 오프(laser lift off)시켜 기판과 분리하는 제6과정을 포함하여 이루어지는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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질화물 반도체 단위소자들을 트렌치(trench)를 통해 상호 분리시켜 기판 상에 반복적으로 형성하는 제1과정;상기 제1과정에서 형성한 질화물반도체 단위소자들 각각의 상부마다 제1전극을 형성하는 제2과정;상기 제1과정에서 질화물반도체 단위소자들을 상호 분리시키는 트렌치에 크랙방지벽을 형성하는 제3과정;상기 제2과정에서 형성한 제1전극 상부에, 상기 제3과정에서 형성한 크랙방지벽의 상면 높이와 대응되는 높이로 전도성 물질을 증착하여, 접합강화벽을 형성하는 제4과정;상기 제4과정에서 형성한 접합강화벽과 소정의 본딩부재를 통해 캐리어기판과 접합하는 제5과정;상기 제1과정과 제3과정에서 각기 형성한 질화물 반도체 단위 소자와 크랙방지벽을 레이저 리프트 오프(laser lift off)시켜 기판과 분리하는 제6과정을 포함하여 이루어지는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제6과정 후에; 상기 제6과정에서 기판과 분리된 질화물 반도체 단위소자 하부에 제2전극을 형성하는 제7과정; 상기 제6과정에서 기판과 분리된 크랙방지벽부터 수직한 방향으로 캐리어 기판의 하면이 노출될 때까지 해당되는 레이어를 제거하는 제8과정을 추가로 포함하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제3과정은; 상기 제1과정에서 질화물반도체 단위소자들을 상호 분리시키는 트렌치에, 상기 제2과정에서 형성한 제1전극의 상면보다 높게, 크랙방지벽을 형성하는 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 크랙방지벽은; 유전체(dielectric)로 이루어진 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전도성 물질은; Al, Cu, Cr 중에서 선택된 어느 하나의 도전성 금속인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전도성 물질은; Al, Cu, Cr 중에서 선택된 어느 하나의 도전성 금속인 것을 특징으로 하는, 질화물 반도체 소자 제조 방법
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