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발광 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015031795
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 사파이어 기판에 질화물 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 질화물 반도체층 상부에 발광 소자를 형성하는 단계와; 상기 발광 소자의 최상층에 UBM(Under Bump Metallization)층을 형성하는 단계와; 본딩용 기판 상부에 UBM층을 형성하고, 그 본딩용 기판의 UBM층 상부에 InSn, InZn, InAg와 InBi 중 선택된 하나로 이루어진 본딩물질막을 형성하는 단계와; 상기 본딩용 기판의 본딩물질막을 상기 발광 소자의 UBM층에 접촉시키고, 가열 및 압착하여 본딩하는 단계와; 상기 사파이어 기판에 레이저광을 조사하여, 상기 사파이어 기판을 발광 소자에서 이탈시키는 단계로 구성된다. 따라서, 본 발명은 저온의 녹는점을 갖는 본딩 물질막으로 발광 소자와 본딩용 기판을 본딩하여 레이저 리프트 오프공정을 수행함으로써, 본딩시 발생되는 열을 낮추어 소자의 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 발생한다. 발광, 소자, 사파이어, 본딩, 온도, In
Int. CL H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자 1020040032315 (2004.05.07)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0622823-0000 (2006.09.04)
공개번호/일자 10-2005-0107115 (2005.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20060914) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.05.07)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하준석 대한민국 서울특별시서초구
2 이현재 대한민국 경기도용인시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
4 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0193205-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0001870-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0073766-90
5 의견서
Written Opinion		 2006.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0224224-17
6 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 2006.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0223254-19
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0508103-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판에 질화물 반도체층을 형성하는 단계와; 상기 질화물 반도체층 상부에 발광 소자를 형성하는 단계와; 상기 발광 소자의 최상층에 UBM(Under Bump Metallization)층을 형성하는 단계와; 본딩용 기판 상부에 UBM층을 형성하고, 그 본딩용 기판의 UBM층 상부에 InSn, InZn, InAg와 InBi 중 선택된 하나로 이루어진 본딩물질막을 형성하는 단계와; 상기 본딩용 기판의 본딩물질막을 상기 발광 소자의 UBM층에 접촉시키고, 가열 및 압착하여 본딩하는 단계와; 상기 사파이어 기판에 레이저광을 조사하여, 상기 사파이어 기판을 발광 소자에서 이탈시키는 단계로 구성된 발광 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 본딩물질막이 InSn이면, InSn의 총 중량에서 Sn이 10wt% ~ 55wt%로 조성된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 본딩물질막이 InZn이면, InZn의 총 중량에서 Zn이 1wt% ~ 4wt%로 조성된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 본딩물질막이 InAg이면, InAg의 총 중량에서 Ag가 1wt% ~ 5wt%로 조성된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 본딩물질막이 InBi이면, InBi의 총 중량에서 Bi가 1wt% ~ 60wt%로 조성된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
6 5
제 1 항에 있어서, 상기 본딩물질막이 InBi이면, InBi의 총 중량에서 Bi가 1wt% ~ 60wt%로 조성된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.