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반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015031831
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 안정적으로 전류가 흐를수 있고, 성장된 반도체층간의 계면 불안정을 개선할 수 있는 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 기판 상에 버퍼층을 성장하는 단계; 상기 버퍼층 상에 N형 클래드층과 제 1 도파로를 성장하는 단계; 상기 제 1 도파로 상에 활성층과, 제 2 도파로를 차례로 성장하는 단계; 상기 제 2 도파로 상에 P형 클래드층을 성장하고, 계속해서 제 1 글레이딩층을 성장시키는 단계; 상기 제 1 글레이딩층을 상에 헤테로 버퍼층을 성장하는 단계; 상기 헤테로 버퍼층 상에 제 2 글레이딩층을 성장하는 단계; 및 상기 제 2 글레이딩층 상에 P형 콘택층을 성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 레이저 다이오드, 경사, 에너지 밴드, 완충, 전류
Int. CL H01S 5/32 (2006.01.01) H01S 5/30 (2006.01.01)
CPC H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01) H01S 5/3205(2013.01)
출원번호/일자 1020040041288 (2004.06.07)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1028276-0000 (2011.04.01)
공개번호/일자 10-2005-0116406 (2005.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진식 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2004-0244456-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0346323-71
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044460-90
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0575842-20
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0093281-32
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0093283-23
13 등록결정서
Decision to grant
2011.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0168707-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 버퍼층을 성장하는 단계; 상기 버퍼층 상에 제 1 클래드층과 제 1 도파로를 성장하는 단계; 상기 제 1 도파로 상에 활성층과, 제 2 도파로를 차례로 성장하는 단계; 상기 제 2 도파로 상에 제 2 클래드층을 성장하는 단계; 상기 제 2 클래드층 상에 헤테로 버퍼층을 성장하는 단계; 상기 헤테로 버퍼층 상에 콘택층을 성장하는 단계; 및 상기 헤테로 버퍼층을 성장시키기 전 단계 또는 상기 콘택층을 성장시키기 전 단계에 한개 이상의 글레이딩층을 성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 조성비가 성장에 따라 변화하여 상기 제 2 클래드층과 헤테로 버퍼층 사이 또는 상기 헤테로 버퍼층과 상기 콘택층 사이에 경사를 갖는 에너지 밴드를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 성장에 따라 조성비가 변화되면서 상부면 에서는 접촉하는 상기 헤테로 버퍼층 또는 상기 콘택층과 조성이 동일하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
4 4
반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성된 데 1 클래드층과 제 1 도파로; 상기 제 1 도파로 상에 형성된 활성층과 제 2 도파로; 상기 제 2 도파로 상에 형성된 제 2 클래드층, 헤테로 버퍼층 및 콘택층; 및 상기 제 2 클래드층과 헤테로 버퍼층 사이 또는 상기 헤테로 버퍼층과 콘택층 사이에 형성되는 한개이상의 글레이딩층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 층의 두께에 따라 성분 조성비가 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 상기 제 2 클래드층과 헤테로 버퍼층 사이 또는 상기 헤테로 버퍼층과 콘택층 사이에서 에너지 밴드가 소정의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 글레이딩층의 Al 조성비가 0
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 에너지 밴드가 상기 제 2 클래드층과 헤테로 버퍼층 사이 또는 상기 헤테로 버퍼층과 콘택층 사이의 중간 레벨을 갖는층이 한개 또는 다수개로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
9 9
제 4 항에 있어서, 상기 글레이딩층은 Al 조성비가 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.