| 1 |
1
LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체; 상기 배전금속과 연결된 금속배선; 상기 금속배선 하부에 형성된 절연기판 및; 상기 절연체 및 상기 절연기판에서 발산되는 열을 모두 방열하기 위하여 상기 절연체 및 상기 절연기판 하부를 모두 덮도록 형성되는 방열기판을 포함하고,상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 2 |
2
LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 배전금속과 연결된 금속배선;상기 실리콘 서브마운트 및 상기 금속배선에서 발산되는 열을 모두 방열하기 위하여 상기 실리콘 서브마운트 및 상기 금속배선 하부를 모두 덮도록 형성되는 방열기판을 포함하고,상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 3 |
3
LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속; 상기 실리콘 서브마운트 하부에 형성되는 절연체를 포함하는 소자부를 적어도 하나이상 포함하고, 상기 소자부의 각각의 배전금속은 방열기판 상부에 형성된 절연층 상의 금속배선과 연결되며,상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 4 |
4
LED와 플립 칩 본딩을 형성하고, 상기 LED와 플립 칩 본딩을 하는 상부면은 그루브가 형성된 실리콘 서브마운트; 상기 실리콘 서브마운트 상부에 형성되고 상기 LED와 전기적 연결 및 상기 LED에서 나오는 빛의 효율을 높이기 위한 반사막; 상기 반사막과 연결되며 외부 회로와의 연결을 위한 배전금속을 포함하는 소자부를 적어도 하나 이상 포함하고;상기 소자부의 각각의 배전금속은 부도체의 방열기판 상부에 형성된 금속배선과 연결되며,상기 방열기판은 그 표면적을 넓게 하기 위하여 패터닝된 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 5 |
5
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED는 발광하는 빛의 효율을 향상하기 위해 렌즈로 덮히는 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 6 |
6
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배전금속은 P-금속배선과 N-금속배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 LED 패키지
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
7
삭제
|
