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반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015032163
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체 발광소자는, 기판 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층이 순차적으로 형성되고, 상기 제1 반도체층의 일부가 노출되며, 상기 노출된 제1 반도체층의 표면에 다수의 요철이 형성된다. 반도체 발광소자, 휘도, GaN, 요철
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020040047958 (2004.06.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1134766-0000 (2012.04.02)
공개번호/일자 10-2005-0122592 (2005.12.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120413) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정환희 대한민국 울산광역시 울주군
2 추성호 대한민국 광주광역시 광산구
3 장자순 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0275879-17
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0387198-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0387196-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0121766-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0294432-44
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0294430-53
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0670687-35
13 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.12.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0049217-49
14 등록결정서
Decision to grant
2012.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0077787-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
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번호 청구항
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기판 상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제2 반도체층 상의 일부 영역에 일정한 간격의 마이크로 피트를 갖는 마스크를 부착하는 단계; 및상기 마스크를 대상으로 에칭하여 상기 제1 반도체층의 표면에 다수의 요철을 형성하는 단계를 포함하고,상기 다수의 요철은 상기 마이크로 피트의 하부와 상기 마이크로 피트를 제외한 영역의 하부 간에 상이한 에칭 속도에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 제1 반도체층이 노출될 때까지 에칭이 지속적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 다수의 요철은 상기 마이크로 피트와 대향되는 상기 제1 반도체층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.