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제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법

  • 기술번호 : KST2015032480
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법에 관한 것으로, a) 실리콘 기판 전(全)면에 상기 기판과 반대극성의 불순물을 확산시키는 단계와, b) 상기 확산층 상부에 식각 마스크를 증착하고 식각할 부분을 패터닝하며 상기 확산층 및 실리콘 기판을 식각하여 발광소자가 접속되는 부분을 형성하고 상기 식각 마스크를 제거하는 단계와, c) 실리콘 기판과의 전기적 절연을 위하여 절연층을 증착하고, 제너다이오드를 외부회로와 연결하기 위한 콘택 홀을 형성하는 단계와, d) 외부회로와의 전기적 연결을 위한 금속전극을 형성하는 단계; 및 e) 발광소자를 접속하기 위한 솔더금속을 패터닝하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020040053640 (2004.07.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0927256-0000 (2009.11.10)
공개번호/일자 10-2006-0004504 (2006.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20091116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박칠근 대한민국 경기도 용인시 풍
2 김근호 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0304956-05
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2007.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0824468-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0001053-55
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0133267-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0213698-91
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0213699-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 등록결정서
Decision to grant
2009.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0373392-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 실리콘 기판 전(全)면에 상기 기판과 반대극성의 불순물을 확산시키는 단계; b) 상기 반대극성의 불순물이 확산된 층의 상부에 식각 마스크를 증착하고 식각할 부분을 패터닝하며 상기 반대극성의 불순물이 확산된 층 및 실리콘 기판을 식각하여 발광소자가 접속되는 부분을 형성하고 상기 식각 마스크를 제거하는 단계; c) 실리콘 기판과의 전기적 절연을 위하여 절연층을 증착하고, 제너다이오드를 외부회로와 연결하기 위한 콘택 홀을 형성하는 단계; d) 외부회로와의 전기적 연결을 위한 금속전극을 형성하는 단계; 및 e) 발광소자를 접속하기 위한 솔더금속을 패터닝하는 단계를 포함하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 c)의 절연층의 두께는 발광소자의 P형 전극과 N형 전극의 높이 단차의 두께로 결정되는 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 단계 d)에서 형성된 금속전극은 N형 전극과 P형 전극이 분리된 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
4 4
a) 실리콘 기판 전(全)면에 상기 기판과 반대극성의 불순물을 확산시키는 단계; b) 상기 반대극성의 불순물이 확산된 층의 상부에 식각 마스크를 증착하고 식각할 부분을 패터닝하며 상기 반대극성의 불순물이 확산된 층 및 실리콘 기판을 식각하여 발광소자가 접속되는 부분을 형성하고 소정의 그루부를 형성하여 상기 반대극성의 불순물이 확산된 층을 분리한 후 상기 식각 마스크를 제거하는 단계; c) 실리콘 기판과의 전기적 절연을 위하여 절연층을 증착하고, 상기 소정의 그루부에 의해 분리된 반대극성의 불순물이 확산된 층 영역에 제너다이오드를 외부회로와 연결하기 위한 콘택 홀을 형성하는 단계; d) 외부회로와의 전기적 연결을 위한 금속전극을 형성하는 단계; 및 e) 발광소자를 접속하기 위한 솔더금속을 패터닝하는 단계를 포함하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 서브마운트는 좌우대칭인 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
6 6
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 단계 b)의 식각방법은 습식식각법을 이용하는 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
7 7
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 단계 b)의 발광소자가 접속되는 식각면은 경사가 형성되어 발광소자의 측면에서 발산되는 빛을 전면으로 반사시키는 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
8 8
제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 단계 d)의 금속전극을 형성하는 방법은 리프트-오프법이나 금속 박막 식각법 중 선택되는 하나의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 제너다이오드가 집적된 발광소자 서브마운트 제작방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01615268 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01615268 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01615268 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP04742385 JP 일본 FAMILY
5 JP18024936 JP 일본 FAMILY
6 US07354846 US 미국 FAMILY
7 US07372082 US 미국 FAMILY
8 US20060006430 US 미국 FAMILY
9 US20070080420 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100423305 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1734800 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP1615268 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP1615268 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP1615268 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2006024936 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP4742385 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2006006430 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2007080420 US 미국 DOCDBFAMILY
10 US7354846 US 미국 DOCDBFAMILY
11 US7372082 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.