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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015033048
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 제 1 질화물 반도체층; 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층; n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 n-InGaN층; n-InGaN층 위에 형성된 활성층; 활성층 위에 형성된 p-InGaN층; p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 다른 실시 예는, 제 1 질화물 반도체층; 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층; n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 활성층; 활성층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자의 또 다른 실시 예는, 제 1 질화물 반도체층; 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층; 활성층 위에 형성된 p-InGaN층; p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/36 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020040067497 (2004.08.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0609583-0000 (2006.07.28)
공개번호/일자 10-2006-0019046 (2006.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20060809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.08.26)
심사청구항수 44

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이석헌 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허용록 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 현죽빌딩)(선영특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0383583-53
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0180601-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0382082-92
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0382084-83
7 보정요구서
Request for Amendment		 2006.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0083385-23
8 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0399420-18
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0416539-33
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 질화물 반도체층; 상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층; 상기 n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 n-InGaN층; 상기 n-InGaN층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 p-InGaN층; 상기 p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; 상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
2 2
제 1 질화물 반도체층; 상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 n-AlInN 클래딩층; 상기 n-AlInN 클래딩층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; 상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
3 3
제 1 질화물 반도체층; 상기 제 1 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 형성된 p-InGaN층; 상기 p-InGaN층 위에 형성된 p-AlInN 클래딩층; 상기 p-AlInN 클래딩층 위에 형성된 제 2 질화물 반도체층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
4 4
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 질화물 반도체층 위에 제 2 전극층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
5 5
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 질화물 반도체층 하부에, 기판; 상기 기판 위에 형성된 버퍼층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
6 6
제 5항에 있어서, 상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
7 7
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 질화물 반도체층은, In이 도핑된 In-doped GaN층; 상기 In-doped GaN층 위에 형성된 제 1 전극층; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
8 8
제 7항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 n-InGaN층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
10 10
제 2항에 있어서, 상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
11 11
제 3항에 있어서, 상기 제 1 전극층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
12 12
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 질화물 반도체층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에, 복수 개의 SiNx 클러스터층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
13 13
제 12항에 있어서,상기 SiNx 클러스터층은 수~수십 옹스트롬(Å)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
14 14
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
15 15
제 14항에 있어서, 상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
16 16
제 9항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층에 도핑되는 인듐 함량과 상기 InxGa1-xN 층에 도핑되는 인듐 함량은, 각각 0<x<0
17 17
제 4항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조 또는 In이 포함된 초격자 구조(super lattice structure)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
18 18
제 17항에 있어서, 상기 수퍼 그레이딩(super grading) 구조는 n-InxGa1-xN으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
19 19
제 17항에 있어서, 상기 초격자 구조는 InGaN/InGaN 초격자 구조 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
20 20
제 4항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 n-AlInN층으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
21 21
제 4항에 있어서, 상기 제 2 전극층에는 실리콘이 도핑된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
22 22
제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 질화물 반도체층 위에 투명 전극이 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
23 23
제 4항에 있어서, 상기 제 2 전극층 위에 투명 전극이 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
24 24
제 22항에 있어서, 상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
25 25
제 23항에 있어서, 상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
26 26
제 22항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO의 물질 또는 Ni가 포함된 Au 합금 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
27 27
제 23항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO, ZnO, IrOx, RuOx, NiO의 물질 또는 Ni가 포함된 Au 합금 중에서 선택되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
28 28
제 2항에 있어서, 상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 p-InGaN층이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
29 29
기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 인듐이 도핑된 In-doped GaN층을 형성하는 단계; 상기 In-doped GaN층 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 위에 n-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 n-AlInN 클래딩층 위에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 p-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 p-AlInN 클래딩층 위에 p-GaN층을 형성하는 단계; 상기 p-GaN층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
30 30
기판 위에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 인듐이 도핑된 In-doped GaN층을 형성하는 단계; 상기 In-doped GaN층 위에 제 1 전극층을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극층 위에, 빛을 방출하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 위에 p-InGaN층을 형성하는 단계; 상기 p-InGaN층 위에 p-AlInN 클래딩층을 형성하는 단계; 상기 p-AlInN 클래딩층 위에 p-GaN층을 형성하는 단계; 상기 p-GaN층 위에 제 2 전극층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
31 31
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 버퍼층은, AlInN/GaN 적층구조, InGaN/GaN 초격자 구조, InxGa1-xN/GaN 적층구조, AlxInyGa1-x,yN/InxGa1-xN/GaN의 적층구조 중에서 선택되어 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
32 32
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 제 1 전극층은 실리콘과 인듐이 동시 도핑된 GaN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
33 33
제 29항에 있어서, 상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 또는 상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 n-InGaN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
34 34
제 33항에 있어서, 상기 n-InGaN층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
35 35
제 29항에 있어서, 상기 n-AlInN 클래딩층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
36 36
제 30항에 있어서, 상기 제 1 전극층과 상기 활성층 사이에 InxGa1-xN층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
37 37
제 34항 내지 제 36항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 InxGa1-xN층의 하부와, 상기 InxGa1-xN층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 복수 개의 SiNx 클러스터층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
38 38
제 37항에 있어서,상기 SiNx 클러스터층은 수~수십 옹스트롬(Å)의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
39 39
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 활성층은, InyGa1-yN 우물층/InzGa1-zN 장벽층으로 형성되는 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
40 40
제 39항에 있어서, 상기 활성층을 이루는 InyGa1-yN 우물층과 InzGa1-zN 장벽층 사이에, 상기 InyGa1-yN 우물층의 인듐 변동량을 제어하는 GaN 캡(cap)층이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
41 41
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 인듐 함량이 순차적으로 변화된 수퍼 그레이딩(super grading) 구조의 n-InxGa1-xN층 또는 InGaN/InGaN 초격자 구조(super lattice structure)층 또는 InGaN/AlInGaN 초격자 구조층 또는 n-AlInN층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
42 42
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 활성층과 상기 p-AlInN 클래딩층 사이에 p-InGaN층을 형성하는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
43 43
제 29항 또는 제 30항에 있어서, 상기 제 2 전극층에 투명 전극이 형성되는 단계가 구비되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
44 44
제 43항에 있어서, 상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
45 44
제 43항에 있어서, 상기 투명 전극은 투과성 전도성 산화물 또는 투과성 저항성 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101425556 CN 중국 FAMILY
2 EP01794813 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01794813 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP20511154 JP 일본 FAMILY
5 JP25058786 JP 일본 FAMILY
6 KR100611003 KR 대한민국 FAMILY
7 US08053794 US 미국 FAMILY
8 US20070252135 US 미국 FAMILY
9 WO2006022498 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100576585 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101027792 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN101425556 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN101425556 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 JP2008511154 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2013058786 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2007252135 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US8053794 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.