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삼파장 백색 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015033438
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요약 본 발명은 삼파장 백색 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 상부에 칩 마운팅 영역이 형성되어 있고, 이 칩 마운팅 영역의 주변에 한 쌍의 전극단자들이 형성되어 있고, 이 한 쌍의 전극단자들과 각각 전기적으로 연결되어 외부로 한 쌍의 리드들이 돌출되어 있는 패키지 기판과; 상기 패키지 기판의 칩 마운팅 영역에 본딩되고, 상기 전극단자들과 전기적으로 연결된 청색 발광 다이오드 칩과; 상기 청색 발광 다이오드 칩 상부에 도포되어 경화된 적색계 형광체가 분산된 고분자 수지와; 내부에 중공부가 있으며, 상기 중공부 내부에 몰딩 수지가 충진되어 있고, 녹색계 형광체가 분산된 고분자 수지로 만들어지며, 상기 패키지 기판의 청색계 발광 다이오드 칩, 전극단자들 및 와이어가 중공부 내부에 위치되도록 상기 패키지 기판에 접착되어 있는 렌즈로 구성된다. 따라서, 본 발명은 적색계 형광체와 녹색계 형광체를 혼합하지 않고 별도의 분리된 고분자 수지에 각각 분산시켜, 이 고분자 수지층을 적층함으로서, 적색계 형광체에 의해서 녹색계 형광체에서 발광하는 광이 흡수되는 현상이 발생하지 않아 우수한 색감과 높은 휘도를 가지는 효과가 있다. 삼파장, 백색, 형광체, 렌즈, 도포, 적색, 녹색
Int. CL H01L 33/50 (2014.01)
CPC H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01) H01L 33/504(2013.01)
출원번호/일자 1020040074512 (2004.09.17)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0630226-0000 (2006.09.22)
공개번호/일자 10-2006-0025724 (2006.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20060929) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.17)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박창서 대한민국 서울 구로구
2 김희정 대한민국 서울 서초구
3 이성은 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
4 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0422432-27
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0159721-30
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0337635-96
4 의견서
Written Opinion
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0337575-44
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2006.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0337177-86
6 등록결정서
Decision to grant
2006.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0542211-41
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
1 1
상부에 칩 마운팅 영역이 형성되어 있고, 이 칩 마운팅 영역의 주변에 한 쌍의 전극단자들이 형성되어 있고, 이 한 쌍의 전극단자들과 각각 전기적으로 연결되어 측면으로 한 쌍의 리드들이 돌출되어 있는 패키지 기판과; 상기 패키지 기판의 칩 마운팅 영역에 본딩되고, 상기 전극단자들과 전기적으로 연결된 청색 발광 다이오드 칩과; 상기 청색 발광 다이오드 칩 상부에 도포되어 경화된 적색계 형광체가 분산된 고분자 수지와; 내부에 중공부가 있으며, 상기 중공부 내부에 몰딩 수지가 충진되어 있고, 녹색계 형광체가 분산된 고분자 수지로 만들어지며, 상기 패키지 기판의 청색계 발광 다이오드 칩, 전극단자들 및 와이어가 중공부 내부에 위치되도록 상기 패키지 기판에 접착되어 있는 렌즈로 구성된 삼파장 백색 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 적색 또는 녹색 형광체는, 유기 및 무기 혼성형광체, 유기 형광체와 무기 형광체 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 렌즈의 형상은, 반구 형상인 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드
4 4
상부에 칩 마운팅 영역이 형성되어 있고, 이 칩 마운팅 영역의 주변에 한 쌍의 전극단자들이 형성되어 있고, 이 한 쌍의 전극단자들과 각각 전기적으로 연결되어 측면으로 한 쌍의 리드들이 돌출되어 있는 패키지 기판을 준비하는 제 1 단계와;상기 패키지 기판의 칩 마운팅 영역에 청색 발광 다이오드 칩을 본딩하고, 상기 청색 발광 다이오드 칩과 상기 전극단자들을 와이어 본딩하는 제 2 단계와;상기 패키지 기판의 청색 발광 다이오드 칩 상부에 적색 형광체가 분산된 고분자 수지를 도포하고, 경화시키는 제 3 단계와;내부에 중공부를 갖으며, 녹색계 형광체가 분산된 고분자 수지로 만들어진 렌즈를 준비하는 제 4 단계와;상기 렌즈의 중공부 내부에 상기 경화된 고분자 수지, 상기 패키지 기판의 청색 발광 다이오드 칩, 전극단자들 및 와이어를 위치시키고, 상기 렌즈 내부의 중공부에 몰딩 수지를 충진시켜 상기 렌즈를 상기 패키지 기판에 접착하는 제 5 단계로 구성된 삼파장 백색 발광 다이오드의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 적색 또는 녹색 형광체는, 유기 및 무기 혼성형광체, 유기 형광체와 무기 형광체 중 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 렌즈는, 녹색 형광체가 분산된 고분자 수지를 사출 성형하여 만들어진 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서, 도포된 고분자 수지를 경화시키는 것은, 상기 도포된 고분자 수지를 130 ~ 200℃의 온도에서 1시간 ~ 3시간 열 경화시키는 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드의 제조 방법
8 7
제 4 항에 있어서, 상기 제 3 단계에서, 도포된 고분자 수지를 경화시키는 것은, 상기 도포된 고분자 수지를 130 ~ 200℃의 온도에서 1시간 ~ 3시간 열 경화시키는 것을 특징으로 하는 삼파장 백색 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.