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게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자에 있어서,
기판과;
상기 기판상의 박막트랜지스터부에 순차적으로 동일한 형태로써 패터닝되어 순차적으로 적층된 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 포함하며, 상기 반도체층 위로 게이트 절연막과 게이트 전극과 상기 반도체층을 노출시키는 반도체층 콘택홀을 구비한 층간절연막과, 상기 층간절연막 상부에 구성되며 상기 반도체층 콘택홀을 통해 반도체층과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극을 포함하는 구동 박막트랜지스터와;
상기 기판상의 발광부에 상기 투명금속층과 동일한 물질로 이루어지며, 상기 드레인 전극의 일끝이 접촉하는 것을 특징으로 하는 제 1 전극과;
상기 구동 박막트랜지스터부 전면과 상기 발광부의 제 1 전극의 상부에 개구부를 갖는 보호층과;
상기 발광부의 제 1 전극의 상기 보호층의 개구부에 구비된 유기 발광층과;
상기 보호층 및 유기 발광층 상부로 전면에 구비된 제 2 전극
을 포함하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전극은 투명도전성 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO) 중에서 선택되는 물질인 유기전계발광 소자
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3
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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6
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금 중에서 선택되는 물질로 형성된 것이 특징인 유기전계발광 소자
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7
게이트 배선과 데이터 배선이 교차하여 정의되는 화소영역에 구동박막트랜지스터 및 스위칭박막트랜지스터 및 파워전극을 구비하며, 상기 구동 박막트랜지스터가 형성되는 박막트랜지스터부와 유기 발광층을 포함하는 유기전계 발광다이오드가 형성되는 발광부가 정의되는 유기전계발광소자의 제조방법에 있어서,
기판 상에 투명도전성 물질층과 버퍼층과 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 반도체층 위로 포토레지스트를 도포하고 반투과영역을 갖는 마스크를 이용하여 노광을 실시하여 상기 박막트랜지스터 형성부에는 제 1 두께를 갖는 제 1 포토레지스트 패턴을, 상기 발광부에는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 갖는 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계와;
상기 발광부의 노출된 제 1 전극과 박막 트랜지스터부의 반도체층 위로 전면에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
상기 게이트 절연막 위로 박막 트랜지스터부에 게이트 전극을 형성하는 단계와;
도핑을 실시하여 도핑된 오믹콘택층과 상기 게이트 전극을 블록킹 마스크로 하여 도핑되지 않는 상기 게이트 전극에 대응한 액티브층을 갖는 반도체층을 형성하는 단계와;
상기 게이트 전극을 포함한 전면에 층간절연막을 형성하는 단계와;
상기 층간절연막을 패터닝하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층 일부를 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀을 형성하고, 발광부에 있어서는 상기 층간절연막을 제거하여 제 1 전극을 노출시키는 단계와;
상기 제 1, 2 반도체층 콘택홀 및 제 1 전극을 노출시키며 형성된 층간절연막 위로 상기 제 1 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하는 소스 전극과, 상기 제 2 반도체층 콘택홀을 통해 오믹콘택층과 접촉하며 동시에 노출된 제 1 전극과 접촉하는 드레인 전극을 형성하는 단계와;
상기 소스 및 드레인 전극 위로 박막트랜지스터부 전면을 덮으며, 상기 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 개구부를 갖는 보호층을 형성하는 단계와;
상기 개구부 내의 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계와;
상기 보호층 및 유기 발광층 위로 전면에 제 2 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴을 이용하여 박막트랜지스터부에는 동일한 형태를 가지는 투명금속층과 버퍼층과 반도체층을 형성하고, 발광부에는 노출된 제 1 전극을 형성하는 단계는
상기 제 1, 2 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 박막 트랜지스터부와 발광부와의 경계영역 상의 반도체층과 버퍼층과 투명도전성 물질층을 제거하여 기판을 노출시키는 단계와;
상기 제 2 포토레지스트 패턴을 애싱하여 발광부의 반도체층을 노출시키는 단계와;
상기 노출된 발광부의 반도체층과 그 하부의 버퍼층을 식각하여 투명도전성물질층을 노출시켜 제 1 전극을 형성하는 단계
를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 게이트 전극 외부로 노출된 게이트 절연막을 식각하여 박막트랜지스터부의 오믹콘택층과 발광부의 제 1 전극을 노출시키는 단계
를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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10
제 7 항에 있어서,
상기 발광부의 층간절연막의 제거함으로써 제 1 전극을 노출시키는 단계는
상기 박막트랜지스터부와 근접한 제 1 전극의 일끝단부는 층간절연막은 제거되지 않고 남아있도록 패터닝되는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법
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제 7 항에 있어서,
상기 드레인 전극은 제 1 전극의 일끝단과 접촉하는 것이 특징인 유기전계발광 소자의 제조방법
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12
제 7 항에 있어서,
상기 버퍼층은 무기절연물질인 질화실리콘 또는 산화실리콘으로 형성되는 유기전계발광 소자의 제조방법
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13
청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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14
제 7 항에 있어서,
상기 보호층을 둘러싸인 제 1 전극 위로 각 화소영역별로 적, 녹, 청색이 순차 반복하도록 유기 발광층을 형성하는 단계는
상기 유기발광층 하부로 상기 제 1 전극과 접촉하는 정공주입층을 형성하는 단계와;
상기 정공주입층 위로 정공수송층을 형성하는 단계와;
상기 정공수송층 위로 유기 발광층을 형성하는 단계와;
상기 유기 발광층 위로 전자 수송층을 형성하는 단계와;
상기 전자 수송층 위로 전자 주입층을 형성하는 단계
를 더욱 포함하는 유기전계발광 소자의 제조방법
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