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기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;상기 기판을 예열하는 단계;교번 자기장을 상기 기판상에 인가하면서 비정질실리콘층을 결정화하는 단계;상기 결정화된 실리콘층을 냉각하면서 수소이온을 주입하는 단계;상기 결정화된 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층상에 게이트절연층을 형성하는 단계;상기 게이트절연층상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 액티브층의 소스 및 드레인영역과 각각 연결되는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계;상기 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 결정화된 실리콘층의 냉각은 약 300℃~600℃사이에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 냉각과정중에 주입된 수소이온에 의해 상기 결정화된 실리콘층이 수소화처리되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 냉각과정과 수소이온의 주입공정은 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 수소화처리에 의해 결정화된 실리콘층의 문턱전압이 낮아지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 자기장결정화 단계와 수소이온을 주입하는 단계는 인라인(in line)으로 구성된 자기장결정화 프로세스 챔버내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;상기 기판을 예열하는 단계;교번자기장을 상기 기판상에 인가하면서 상기 비정질실리콘층을 결정화하는 단계;상기 결정화된 실리콘층을 냉각하면서 수소이온을 주입하는 단계를 포함하는 결정화방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 결정질실리콘층이 냉각과정에서 주입되는 수소이온에의해 수소화처리되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 결정화된 실리콘층의 냉각과 수소화처리는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 자기장 결정화단계와 수소화처리단계는 인라인(in-line)으로 구성된 자기장결정화 프로세스 챔버내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 자기장 결정화단계와 수소화처리단계는 인라인(in-line)으로 구성된 자기장결정화 프로세스 챔버내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법
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