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자기장 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015033913
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요약 본 발명은 실리콘 결정화 방법에 관한 것으로, 특히 교번자기장을 인가하여 결정화하는 AMFC결정화 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층상에 불순물 이온을 포함시키는 단계; 상기 반도체층에 교번자기장을 인가하면서 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것으로 문턱전압이 보정되어 소자특성이 향상된 박막트랜지스터를 얻을 수 있다. AMFC, 결정화, 불순물 주입
Int. CL G02F 1/1368 (2006.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1020040088964 (2004.11.03)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-0689317-0000 (2007.02.23)
공개번호/일자 10-2006-0039753 (2006.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20070308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.03)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백승한 대한민국 인천광역시 계양구
2 남대현 대한민국 경기도 고양시 덕양구
3 최낙봉 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0509297-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.06.01 수리 (Accepted) 9-1-2006-0034477-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0380078-19
5 의견서
Written Opinion
2006.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0632689-37
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0632691-29
7 등록결정서
Decision to grant
2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0053357-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층상에 3족 또는 5족 이온으로 구성된 불순물 이온을 포함시키는 단계; 및상기 반도체층에 교번자기장을 인가하면서 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 결정화 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체층은 비정질실리콘층인 것을 특징으로 하는 결정화 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 3족이온은 붕소이온인 것을 특징으로 하는 결정화 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 반도체층에 주입되는 붕소이온의 농도는 1010/㎠~ 1013/㎠인 것을 특징으로 하는 결정화 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 반도체층 형성단계와 상기 반도체층상에 불순물이온을 포함시키는 단계는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정화 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 반도체층 형성단계는 플라즈마상태의 반도체입자가 증착되는 단계에서 상기 불순물이온이 동시에 혼합증착되는 것을 특징으로 하는 결정화 방법
8 7
제 6항에 있어서, 상기 반도체층 형성단계는 플라즈마상태의 반도체입자가 증착되는 단계에서 상기 불순물이온이 동시에 혼합증착되는 것을 특징으로 하는 결정화 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.