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자기장결정화방법에 의해 결정화된 폴리실리콘을 사용하는액정표시소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015033945
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리실리콘 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 AMFC에 의해 결정화된 폴리실리콘을 사용하는 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다. AMFC에 의해 결정화된 폴리실리콘은 큰 음의 문턱전압을 가지며, 높은 포화전류전압을 가지기 때문에 소자에 적용하기 어려우므로 본 발명은 게이트절연막의 두께를 최적화하여 포화전류전압을 낮추고, 결정화된 폴리실리콘층을 수소화 처리하여 문턱전압값을 보상함으로써 안정된 폴리실리콘 액정표시소자를 제조할 수 있다. 문턱전압, AMFC, 수소화처리
Int. CL G02F 1/1368 (2006.01)
CPC H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자 1020040089409 (2004.11.04)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1083206-0000 (2011.11.07)
공개번호/일자 10-2006-0040175 (2006.05.10) 문서열기
공고번호/일자 (20111111) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창동 대한민국 서울 송파구
2 백승한 대한민국 인천 계양구
3 최낙봉 대한민국 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2004-0511250-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0655628-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0088348-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0276406-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0276411-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
9 등록결정서
Decision to grant
2011.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0615037-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
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번호 청구항
1 1
기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층을 가열한 상태에서 상기 비정질실리콘층에 자기장을 인가하여 결정화하는 단계; 상기 결정화된 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층상에 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 액티브층에 수소이온을 결합시키는 수소화처리를 진행하는 단계; 상기 게이트절연층상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 마스크로 적용하고 상기 액티브층에 불순물을 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트절연층은 포화전류전압을 낮추기 위해 900Å이하 두께의 실리콘질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 수소화처리는 상기 액티브층을 수소분위기에서 400℃로 가열함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 수소화처리에 의해 상기 폴리실리콘 액정표시소자의 문턱전압이 낮아지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 비정질실리콘을 결정화하는 단계는 비정질실리콘을 자기장발생장치에 통과시키면서 스캔 방식으로 결정화하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 액티브층 및 상기 실리콘질화막을 가열함으로써 상기 액티브층이 수소화처리되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연층을 사용하는 폴리실리콘 액정표시소자의 포화전류전압이 22볼트 이하인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
9 9
기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질실리콘층을 가열한 상태에서 상기 비정질실리콘층에 자기장을 인가하여 결정화하는 단계; 상기 결정화된 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계; 상기 액티브층상에 게이트절연층을 형성하는 단계; 상기 게이트절연층상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 마스크로 적용하고 상기 액티브층에 불순물을 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트절연층은 포화전류전압을 낮추기 위해 500Å~800Å 두께의 실리콘질화막과 100Å~400Å 두께의 실리콘산화막의 2중층으로 이루어지며, 총 두께가 1000Å을 넘지 않는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 비정질실리콘을 결정화하는 단계는 비정질실리콘을 자기장발생장치에 통과시키면서 스캔 방식으로 결정화하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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