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기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;
상기 비정질실리콘층을 가열한 상태에서 상기 비정질실리콘층에 자기장을 인가하여 결정화하는 단계;
상기 결정화된 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;
상기 액티브층상에 게이트절연층을 형성하는 단계;
상기 액티브층에 수소이온을 결합시키는 수소화처리를 진행하는 단계;
상기 게이트절연층상에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극을 마스크로 적용하고 상기 액티브층에 불순물을 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및
상기 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트절연층은 포화전류전압을 낮추기 위해 900Å이하 두께의 실리콘질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 수소화처리는 상기 액티브층을 수소분위기에서 400℃로 가열함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 수소화처리에 의해 상기 폴리실리콘 액정표시소자의 문턱전압이 낮아지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비정질실리콘을 결정화하는 단계는 비정질실리콘을 자기장발생장치에 통과시키면서 스캔 방식으로 결정화하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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7
제 1 항에 있어서, 상기 액티브층 및 상기 실리콘질화막을 가열함으로써 상기 액티브층이 수소화처리되는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연층을 사용하는 폴리실리콘 액정표시소자의 포화전류전압이 22볼트 이하인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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9
기판상에 비정질실리콘층을 형성하는 단계;
상기 비정질실리콘층을 가열한 상태에서 상기 비정질실리콘층에 자기장을 인가하여 결정화하는 단계;
상기 결정화된 실리콘층을 패터닝하여 액티브층을 형성하는 단계;
상기 액티브층상에 게이트절연층을 형성하는 단계;
상기 게이트절연층상에 게이트전극을 형성하는 단계;
상기 게이트전극을 마스크로 적용하고 상기 액티브층에 불순물을 주입함으로써 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계;
상기 소스 및 드레인 영역과 연결되는 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및
상기 드레인전극과 연결되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트절연층은 포화전류전압을 낮추기 위해 500Å~800Å 두께의 실리콘질화막과 100Å~400Å 두께의 실리콘산화막의 2중층으로 이루어지며, 총 두께가 1000Å을 넘지 않는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 비정질실리콘을 결정화하는 단계는 비정질실리콘을 자기장발생장치에 통과시키면서 스캔 방식으로 결정화하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
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