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반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015033980
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 칩바의 벽개면에 AR(Anti Reflection)막을, 두께의 막이 3층 이상의 홀수층(Odd layers)으로 적층시켜, AR막이 형성된 벽개면을 뚜렷한 색 변화로 구분할 수 있으므로, 작업상 오류가 발생되지 않아 불량 발생을 줄일 수 있는 효과가 있다. 삭제
Int. CL H01S 5/028 (2006.01)
CPC H01S 5/0286(2013.01) H01S 5/0286(2013.01) H01S 5/0286(2013.01)
출원번호/일자 1020040090451 (2004.11.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1060891-0000 (2011.08.24)
공개번호/일자 10-2006-0041380 (2006.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.27)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창남 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동, 명지빌딩)(나이스국제특허법률사무소)
2 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
3 장재용 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **-*, *층(역삼동, 대명빌딩)(휴피아국제특허법률사무소)
4 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
5 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0516107-20
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0319669-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.07.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0044591-62
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0559487-49
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0011438-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0011436-12
11 등록결정서
Decision to grant
2011.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0470306-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1벽개면과 그 반대면에 있는 제2벽개면이 구비되어 있고, 상기 제1및 2벽개면으로 광이 방출되는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바에 있어서, 상기 제1벽개면에 (여기서, λ는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바에서 출력되는 광이고, n는 막의 굴절률임) 두께의 막을 5층 이상의 홀수층으로 적층하여 반사방지(AR)막을 형성하고, 상기 AR막은 SiO2, ZrO2 및 Si3N4 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2벽개면에는 고반사(HR)막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바
3 3
삭제
4 4
제1벽개면과 그 반대면에 있는 제2벽개면이 구비되어 있고, 상기 제1 및 2벽개면으로 광이 방출되는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바를 형성하는 단계; 상기 제1벽개면에 (λ는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바에서 출력되는 광이고, n는 막의 굴절률임) 두께의 막을 5층 이상의 홀수층으로 적층하여 AR막을 형성하는 단계; 상기 AR막의 품질 검사를 수행하는 단계; 및 상기 제2벽개면에 HR막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 AR막은 SiO2, ZrO2 및 Si3N4 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드 어레이 칩바의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.