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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 비정질 실리콘박막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘박막에 붕소 및 수소를 도핑하는 단계;상기 붕소가 도핑된 비정질 실리콘박막를 열처리하여, 다결정 실리콘박막을 형성하는 단계;상기 다결정 실리콘박막을 패터닝하여 액티브패턴을 형성하는 단계;상기 액티브패턴 상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 액티브패턴의 양측 영역에 소스영역 및 드레인영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스영역과 연결되는 소스전극 및 상기 드레인영역과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘박막에 붕소 및 수소를 도핑하는 단계는, 붕소과 수소가 결합된 수소화붕소(BHx)를 도핑하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 수소화붕소(BHx)는 붕소에 대한 수소의 함량은 50% 이하인 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 수소화붕소(BHx)는 붕소에 대한 수소의 함량은 10 ~ 20% 범위에 해당하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판과 비정질 실리콘박막 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 비정질 실리콘박막을 열처리하여 다결정 실리콘을 형성하는 단계는, 교번자기장을 인가하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 액티브패턴과 게이트전극 사이에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함하는 기판 전면에 제2절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2절연막을 식각하여 상기 소스영역의 일부를 노출시키는 소스콘택홀 및 상기 드레인영역을 노출시키는 드레인콘택홀을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 소스콘택홀을 통해 상기 소스영역과 소스전극을 전기적으로 연결시키고, 상기 드레인콘택홀을 통해 상기 드레인영역과 드레인전극을 전기적으로 연결시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
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기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 비정질 실리콘박막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘박막에 수소화붕소(BHx)를 도핑하는 단계; 상기 붕소가 도핑된 비정질 실리콘박막에 교번자기장을 인가한 상태에서 열처리하여, 다결정 실리콘박막을 형성하는 단계; 상기 다결정 실리콘박막을 패터닝하여 액티브패턴을 형성하는 단계; 상기 액티브패턴 상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 액티브패턴과 대응하는 제1절연막 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 마스크로 하여 상기 액티브패턴의 양측 영역에 불순물을 도핑함으로써, 소스영역 및 드레인영역을 형성하는 단계; 상기 소스영역 및 드레인영역을 포함하는 기판 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 소스영역을 노출시키는 소스콘택홀과 상기 드레인영역을 노출시키는 드레인콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 소스콘택홀을 통해 상기 소스영역과 연결되는 소스전극 및 상기 드레인콘택홀을 통해 상기 드레인영역과 연결되는 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 수소화붕소(BHx)는 붕소에 대한 수소의 함량은 50% 이하인 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 수소화붕소(BHx)는 붕소에 대한 수소의 함량은 10 ~ 20% 범위에 해당하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 수소화붕소(BHx)는 붕소에 대한 수소의 함량은 10 ~ 20% 범위에 해당하는 것을 특징으로 하는 다결정 박막트랜지스터의 제조방법
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