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표면에 수증기의 흡습을 위한 다공질 물질을 포함하고, 고전압의 인가에 의해 주변 공간으로 전자를 방출시키는 방전극과, 상기 방전극으로부터 방출되는 전자의 이동 경로를 변화시키기 위한 로렌츠의 힘을 발생시키는 마그네트를 포함하며, 상기 방전극에 대응하는 위치에 설치되는 대응 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제1항에 있어서,상기 방전극은, 그 표면에 다공질 물질이 코팅되거나 다공질 물질을 포함하는 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제1항에 있어서,상기 대응 전극은, 마그네트의 표면에 전도성 물질이 코팅된 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 다공질 물질은 입자 자체에 공극이 형성된 탄소(C)인 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방전극의 다공률은 15 ~ 20%인 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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표면에 수증기의 흡습을 위한 다공질 물질을 포함하고, 고전압의 인가에 의해 주변 공간으로 전자를 방출시키도록 단부에 뾰족한 첨단부가 형성된 봉 형상의 방전극과, 상기 방전극으로부터 방출되는 전자의 이동 경로를 변화시키기 위한 로렌츠의 힘을 발생시키는 마그네트를 포함하며, 상기 방전극을 중심으로 하는 원형의 링 형상을 이루도록 설치되는 대응 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항에 있어서, 상기 대응 전극은, 마그네트의 표면에 전도성 물질이 코팅되어 형성된 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제7항에 있어서,상기 마그네트는 영구자석인 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대응 전극은 접지된 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 대응 전극의 외곽을 지지하는 파이프 형상의 절연 케이스를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제10항에 있어서,상기 방전극/대응 전극/절연 케이스 유닛이 서로 평행하게 복수 개로 설치된 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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12
제11항에 있어서,상기 방전극은 공통 단자를 통해 외부 고전압원과 접속하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항에 있어서,상기 대응 전극은 방전극의 첨단부가 가리키는 방향에 대해 후방에 링 형상으로 설치되는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항에 있어서, 상기 방전극의 직경이 5㎜ 이하로 형성되면 방전극의 직경을 크게 형성하고, 상기 방전극의 직경이 5㎜ 이상으로 형성되면 방전극의 다공률을 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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제6항에 있어서, 상기 방전극의 직경이 5㎜ 이하로 형성되면 방전극의 직경을 크게 형성하고, 상기 방전극의 직경이 5㎜ 이상으로 형성되면 방전극의 다공률을 높게 형성하는 것을 특징으로 하는 음이온발생장치
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