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벤족사졸을 함유하는 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 술폰화 공중합체: [화학식 1] 상기 화학식 1의 식에서, Ar은 페닐린(phenylene), 바이페닐린(biphenylene), 또는 테르페닐린(terphenylene)이고, Y1과 Y2는 각각 독립적으로 직접 결합(direct bond), -O-, -CO-, 또는 -SO2-이고, n은 0 내지 분자량이 최대 10,000을 갖도록 하는 범위의 정수이고, R은 (여기서, Z'는 직접 결합(direct bond), -SO2-, -C(CF3)2-, -C(CCH3)2-, -CH2-, , , , 또는 임), , 또는 이고, -O-기는 서로 파라-파라(para-para), 메타-메타(meta-meta), 또는 파라-메타(para-meta) 위치에 존재하고, Z는 -S-, -S(O)-, -S(O)2-, -C(O)-, 또는 -P(O)(C6H5)-이고, M은 Na, K, 또는 수소이고, r/m+r은 0
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M이 Na 또는 K인 제1항 기재의 벤족사졸을 함유하는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위로 이루어지는 술폰화 공중합체를 용매에 용해시킨 후, 유리판에 캐스팅하여 제조되는 것을 특징으로 하는 술폰화 공중합체 전해질막
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제2항 기재의 술폰화 공중합체 전해질막에 염산 또는 황산 용액을 가하여 술폰산염을 술폰산으로 치환하여 제조되는 것을 특징으로 하는 수소처리된 술폰화 공중합체 전해질막
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제3항에 있어서, 상기 염산 또는 황산 용액이 술폰화 공중합체 전해질막에 0
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제3항 기재의 수소처리된 술폰화 공중합체 전해질막에 강산 용액을 도핑하여 제조되는 강산이 도핑된 술폰화 공중합체 전해질막
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제5항에 있어서, 상기 강산이 인산, 황산, 또는 염산인 것을 특징으로 하는 강산이 도핑된 술폰화 공중합체 전해질막
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제5항에 있어서, 상기 강산이 수소처리된 술폰화 공중합체에 적어도 10 몰%로 도핑되는 것을 특징으로 하는 강산이 도핑된 술폰화 공중합체 전해질막
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제5항 내지 제7항 중 어느 한항에 있어서, 상기 강산이 도핑된 술폰화 공중합체 전해질막이 적어도 100 ℃의 온도에서 수소이온을 전도할 수 있는 고온용 수소이온 전해질막인 것을 특징으로 하는 강산이 도핑된 술폰화 공중합체 전해질막
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M이 Na 또는 K인 제1항 기재의 화학식 1로 표시되는 벤족사졸을 함유하는 화학식 1로 표시되는 반복단위로 이루어지는 술폰화 공중합체 및 전도성 무기물을 포함하는 유무기 복합 전해질막
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제9항에 있어서, 상기 전도성 무기물이 지르코늄 인산염(ZrP), 인텅스텐산(PWA), 및 인몰리브덴산(phosphomolybdic acid)으로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상 선택되는 무기 헤테로 다중산인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 전해질막
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제9항에 있어서, 상기 전도성 무기물이 벤족사졸을 함유하는 술폰화 공중합체 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 유무기 복합 전해질막
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제9항에 있어서, 상기 M이 Na 또는 K인 벤족사졸을 함유하는 화학식 1로 표시되는 반복단위로 이루어지는 술폰화 공중합체 및 전도성 무기물을 용매에 용해시킨 후, 유리판에 캐스팅하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유무기 복합 전해질막
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제12항 기재의 유무기 복합 전해질막에 염산 또는 황산 용액을 가하여 술폰산염을 술폰산으로 치환하여 제조되는 것을 특징으로 하는 수소처리된 유무기 복합 전해질막
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제13항 기재의 수소처리된 유무기 복합 전해질막에 강산 용액을 도핑하여 제조되는 강산이 도핑된 유무기 복합 전해질막
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제9항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유무기 복합 전해질막이 적어도 100 ℃의 온도에서 수소이온을 전도할 수 있는 고온용 수소이온 전해질막인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 전해질막
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제5항 또는 제14항 기재의 전해질막이 적용되는 것을 특징으로 하는 고온용 연료전지
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제16항에 있어서, 상기 고온용 연료전지가 고분자 전해질 연료전지 또는 직접 메탄올 연료전지인 것을 특징으로 하는 고온용 연료전지
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