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소자간 배선 배치 구조 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2015034463
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요약 본 발명은 본드 와이어(bond-wire) 배선에 관한 것으로서, 특히 칩(Chip)과 칩(Chip) 사이의 본드 와이어 배선을 달리하여, 대역폭을 증가시키면서도 제조공정상 수율 향상을 꾀할 수 있는 소자간 배선 배치 구조 및 그 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 소자간 배선 배치 구조는 복수개의 칩; 소정의 폭 및 길이로 임의의 인덕턴스값을 갖는 복수개의 금속 패턴; 상기 금속 패턴 각각에 연결되고 소정의 면적으로 임의의 캐패시턴스값을 갖는 복수개의 본딩 패드; 상기 복수개의 본딩 패드에 연결되고 임의의 인덕턴스값을 갖는 일정 개수의 본드 와이어를 포함하는 것을 특징으로 한다. 광대역, 본드 와이어(bond wire), 배선, 칩(Chip)
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/52 (2006.01) H01L 23/538 (2006.01) H01L 23/64 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020040098004 (2004.11.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1047678-0000 (2011.07.01)
공개번호/일자 10-2006-0058950 (2006.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110708) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상훈 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2004-0555662-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0066996-87
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0478892-05
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0858795-30
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0858796-86
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0118464-68
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.04.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0016600-61
13 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0293245-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수개의 칩; 소정의 폭 및 길이로 조절되어 소정 인덕턴스값을 갖는 복수개의 금속 패턴; 상기 금속 패턴 각각에 연결되고 소정의 면적으로 조절되어 소정 캐패시턴스값을 갖음으로써 그라운드면에 대해 정전 용량 값을 가지는 복수개의 본딩 패드; 상기 복수개의 본딩 패드에 연결되고 소정 인덕턴스값을 갖는 일정 개수의 본드 와이어를 포함하고, 다단 저역 통과 필터로서 동작하고, 상기 본드 와이어의 연결 개수 및 길이에 따라 상기 다단 저역 통과 필터의 단이 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 소자간 배선 배치 구조
2 2
제 1항에 있어서, 상기 소자간 배선 배치 구조는 다수의 인덕턴스와, 캐패시턴스로 구성되는 다단저역통과필터인 것을 특징으로 하는 소자간 배선 배치 구조
3 3
제 1항에 있어서, 상기 본드 와이어의 인덕턴스 값은 상기 복수개의 본딩 패드 사이에 병렬로 연결되는 개수 조절을 통해 결정되는 것을 특징으로 하는 소자간 배선 배치 구조
4 4
복수개의 칩에 기판 동판을 각각 에칭하여 복수개의 금속 패턴 및 본딩패드를 형성하는 단계; 상기 본딩 패드 사이에 병렬로 본드 와이어를 연결하여, 다단 저역 통과 필터를 구성하는 단계를 포함하고, 상기 복수개의 금속 패턴은 소정의 폭 및 길이로 조절되어 소정 인덕턴스값을 갖고, 상기 복수개의 본딩패드는 상기 금속 패턴 각각에 연결되고 소정의 면적으로 조절되어 소정 캐패시턴스값을 갖음으로써 그라운드면에 대해 정전 용량 값을 가지고, 상기 본드 와이어는 상기 복수개의 본딩패드에 연결되고 소정 인덕턴스값을 갖고, 연결 개수 및 길이에 따라 상기 다단 저역 통과 필터의 단이 증가하도록 하는 것을 특징으로 하는 소자간 배선 배치 방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 다단 저역 통과 필터는 금속 패턴의 인덕턴스와 이에 연결된 본딩 패드의 캐패시턴스, 상기 본딩 패드의 캐패시턴스에 적어도 하나 이상이 병렬 연결된 본드 와이어의 인덕턴스를 연결하여 구성되는 것을 특징으로 하는 소자간 배선 배치 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.