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유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 및 그를 이용한액정표시소자

기술번호 : KST2015034482
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이때, 상기 소스전극 및 드레인전극은 ITO층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하거나 또는 상부 ITO층 및 하부 금속층의 이중층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 유기 박막 트랜지스터, 및 액정표시소자에 관한 것으로서, 본 발명은 산소플라즈마처리된 ITO층을 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극으로 사용함으로써, 저가이면서도 종래의 금과 유사한 정도의 높은 일함수를 가질 수 있어 유기 반도체층과의 에너지 장벽이 낮아 정공의 이동이 용이하게 된다. 유기 박막 트랜지스터
Int. CL	G02F 1/1368 (2006.01)
CPC	H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자	1020040101041 (2004.12.03)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-0628269-0000 (2006.09.19)
공개번호/일자	10-2006-0062266 (2006.06.12) 문서열기
공고번호/일자	(20060927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.12.03)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	최낙봉	대한민국	경기 수원시 장안구
2	이정일	대한민국	서울 광진구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	심창섭	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 *, 현대빌딩 층 (잠실동)(KBK특허법률사무소)
2	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2004-0570413-42
2	등록결정서 Decision to grant	2006.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0513089-97
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이때, 상기 소스전극 및 드레인전극은 ITO층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
2	2 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이때, 상기 소스전극 및 드레인전극은 상부 ITO층 및 하부 금속층의 이중층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
3	3 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
4	4 제 2항에 있어서, 상기 소스전극 및 드레인전극을 구성하는 하부 금속층은 은, 구리, 또는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
5	5 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되어 형성되며, 산소플라즈마처리된 ITO층으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 형성된 유기 반도체층을 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터
6	6 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트전극; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되어 형성되며, 산소플라즈마처리된 상부 ITO층 및 하부 금속층의 이중층으로 이루어진 소스전극 및 드레인전극; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 형성된 유기 반도체층을 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터
7	7 제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
8	8 제 6항에 있어서, 상기 소스전극 및 드레인전극을 구성하는 하부 금속층은 은, 구리, 또는 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
9	9 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 종횡으로 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차점에 형성되며, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 및 유기반도체층을 포함하여 이루어진 박막트랜지스터; 및 상기 화소영역에 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 전기적으로 연결된 화소전극; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어지며, 상기 데이터라인, 소스전극 및 드레인전극은 산소플라즈마처리된 ITO층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자
10	10 제1기판 및 제2기판; 상기 제1기판 상에 종횡으로 형성되어 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인; 상기 게이트라인 및 데이터라인의 교차점에 형성되며, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 및 유기반도체층을 포함하여 이루어진 박막트랜지스터; 및 상기 화소영역에 형성되며, 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 전기적으로 연결된 화소전극; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 이루어지며, 상기 데이터라인, 소스전극 및 드레인전극은 산소플라즈마처리된 상부 ITO층 및 하부 금속층의 이중층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자
11	11 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자
12	12 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 금속층은 은, 구리, 또는 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자
13	13 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 제2기판에는 컬러필터 및 공통전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자
14	13 제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 제2기판에는 컬러필터 및 공통전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0628269-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20041203 출원 번호 : 1020040101041 공고 연월일 : 20060927 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060831 청구범위의 항수 : 13 유별 : G02F 1/1368 발명의 명칭 : 유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 및 그를 이용한액정표시소자 존속기간(예정)만료일 : 20190920

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	783,000 원	2006년 09월 20일	납입
제 4 년분	금 액	326,000 원	2009년 06월 22일	납입
제 5 년분	금 액	326,000 원	2010년 06월 21일	납입
제 6 년분	금 액	326,000 원	2011년 06월 15일	납입
제 7 년분	금 액	594,000 원	2012년 06월 28일	납입
제 8 년분	금 액	594,000 원	2013년 06월 19일	납입
제 9 년분	금 액	594,000 원	2014년 06월 30일	납입
제 10 년분	금 액	955,000 원	2015년 08월 18일	납입
제 11 년분	금 액	955,000 원	2016년 08월 16일	납입
제 12 년분	금 액	955,000 원	2017년 08월 16일	납입
제 13 년분	금 액	1,075,000 원	2018년 08월 16일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.12.03	수리 (Accepted)	1-1-2004-0570413-42
2	등록결정서	2006.08.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0513089-97
3	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
4	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95


기술번호	KST2015034482
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 및 그를 이용한액정표시소자
기술개요	본 발명은 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트전극을 포함한 기판 전면에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 위에 서로 이격되도록 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되며, 이때, 상기 소스전극 및 드레인전극은 ITO층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하거나 또는 상부 ITO층 및 하부 금속층의 이중층을 패터닝한 후 산소플라즈마처리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 유기 박막 트랜지스터, 및 액정표시소자에 관한 것으로서, 본 발명은 산소플라즈마처리된 ITO층을 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극으로 사용함으로써, 저가이면서도 종래의 금과 유사한 정도의 높은 일함수를 가질 수 있어 유기 반도체층과의 에너지 장벽이 낮아 정공의 이동이 용이하게 된다. 유기 박막 트랜지스터
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1410051256
세부과제번호	F0004090-2006-22
연구과제명	대형유기디스플레이모듈기술개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가원
연구주관기관명	엘지필립스엘시디
성과제출연도	2006
연구기간	200504~200803
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020040101041]	유기 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 및 그를 이용한액정표시소자	새창보기

중요키워드

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