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고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법

기술번호 : KST2015034675
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 마스크층에 형성된 개구 패턴 내부에만 국부적으로 활성층을 형성시켜, 이 국부적인 활성층에 전류의 흐름을 집중시킴으로써 광출력을 향상시킬 수 있는 우수한 효과가 있다. 또한, 열을 국부적인 활성층에서만 발생시킴으로써, 열발생 영역을 작게하여 효율적으로 열을 방출시킬 수 있는 효과가 있다. 더불어, 마스크층으로 전달되는 전위(Dislocation)를 차단시켜, 결함을 줄일 수 있어 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 마스크, 활성층, 발광다이오드, 전위, 열, 방출
Int. CL	H01L 33/04 (2014.01)
CPC	H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01) H01L 33/02(2013.01)
출원번호/일자	1020040103985 (2004.12.10)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-0609972-0000 (2006.07.31)
공개번호/일자	10-2006-0065202 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자	(20060808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2004.12.10)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	신종언	대한민국	경기도 성남시 분당구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	정종옥	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2	조현동	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3	진천웅	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2004.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2004-0581972-00
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0024712-15
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0236394-32
5	의견서 Written Opinion	2006.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0425988-84
6	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2006.06.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0426002-71
7	대리인해임신고서 Report on Dismissal of Agent	2006.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0425538-52
8	등록결정서 Decision to grant	2006.07.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0430440-41
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상부에 N타입 반도체층이 형성되어 있고; 상기 N타입 반도체층 상부에 일부가 제거된 개구 패턴을 갖는 마스크층이 형성되어 있고; 상기 개구 패턴 내부에 활성층이 형성되어 있고; 상기 활성층 상부에 P타입 반도체층이 형성되어 있고; 상기 P타입 반도체층에서 상기 N타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa)식각되어 있고; 상기 P타입 반도체층 상부에 투명전극이 형성되어 있고; 상기 투명전극 상부에 P전극과 상기 메사식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극이 형성되어 이루어진 고출력 발광 다이오드
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 활성층 상부에 형성된 P타입 반도체층은, 상기 활성층 상부 및 상기 마스크층 일부 상부에만 국부적으로 성장되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 사파이어(Sapphire), 실리콘 카바이드(SiC), ZnO, Si, GaAs와 GaN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은, GaN층인 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 마스크층은, SiO2 또는 SixNy로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 개구 패턴은, 스트라이프(Stripe) 형상의 복수개의 개구들 또는 상호 이격된 복수개의 개구들로 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드
7	7 기판 상부에 N타입 반도체층을 형성하는 제 1 단계와; 상기 N타입 반도체층 상부에 마스크층을 형성하고, 상기 마스크층의 일부를 선택적으로 식각하여 상기 N타입 반도체층을 노출시키는 개구 패턴을 만드는 제 2 단계와; 상기 개구 패턴으로 노출된 N타입 반도체층 상부에 활성층을 성장시켜, 상기 개구 패턴의 내부를 활성층으로 채우는 제 3 단계와; 상기 활성층 상부에서 P타입 반도체층을 성장시키는 제 4 단계와; 상기 P타입 반도체층에서 상기 N타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각한 후, 상기 P타입 반도체층 상부에 투명전극을 형성하는 제 5 단계와; 상기 투명전극 상부에 P전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극을 형성하는 제 6 단계로 이루어진 고출력 발광 다이오드의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 P타입 반도체층은, 상기 활성층 상부 및 상기 마스크층 일부 상부에만 국부적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드의 제조 방법
9	9 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 단계는, 상기 기판 상부에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 N타입 반도체층을 형성하는것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드의 제조 방법
10	10 제 7 항에 있어서, 상기 마스크층은, SiO2 또는 SixNy로 형성하고, 상기 개구 패턴은, 스트라이프(Stripe) 형상의 복수개의 개구들 또는 상호 이격된 복수개의 개구들로 패터닝하는 것을 특징으로 하는 고출력 발광 다이오드의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0609972-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20041210 출원 번호 : 1020040103985 공고 연월일 : 20060808 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20060726 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 33/00 발명의 명칭 : 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20160801

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	621,000 원	2006년 07월 28일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2009년 06월 19일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2010년 06월 30일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2011년 06월 20일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2012년 06월 19일	납입
제 8 년분	금 액	480,000 원	2013년 06월 24일	납입
제 9 년분	금 액	480,000 원	2014년 06월 24일	납입
제 10 년분	금 액	790,000 원	2015년 06월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2004.12.10	수리 (Accepted)	1-1-2004-0581972-00
2	선행기술조사의뢰서	2006.03.16	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.04.14	수리 (Accepted)	9-1-2006-0024712-15
4	의견제출통지서	2006.04.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0236394-32
5	의견서	2006.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0425988-84
6	명세서등보정서	2006.06.19	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2006-0426002-71
7	대리인해임신고서	2006.06.19	수리 (Accepted)	1-1-2006-0425538-52
8	등록결정서	2006.07.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0430440-41
9	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
10	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
11	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
12	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015034675
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
기술개요	본 발명은 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 마스크층에 형성된 개구 패턴 내부에만 국부적으로 활성층을 형성시켜, 이 국부적인 활성층에 전류의 흐름을 집중시킴으로써 광출력을 향상시킬 수 있는 우수한 효과가 있다. 또한, 열을 국부적인 활성층에서만 발생시킴으로써, 열발생 영역을 작게하여 효율적으로 열을 방출시킬 수 있는 효과가 있다. 더불어, 마스크층으로 전달되는 전위(Dislocation)를 차단시켜, 결함을 줄일 수 있어 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 마스크, 활성층, 발광다이오드, 전위, 열, 방출
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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