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구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물

  • 기술번호 : KST2015034724
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요약 본 발명은 차세대 반도체 소자 및 액정표시소자의 제조에 사용되는 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물, 이를 이용하는 금속 배선의 식각 방법, 및 이 식각 방법을 사용하여 제조되는 액정표시장치 및 반도체 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명의 식각 용액 조성물은 조성물 총중량에 대하여 (a)과산화수소수 5 내지 40 중량부; (b)화학식 1, 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 첨가제 a 0.1 내지 10 중량부; (c)화학식 4 또는 화학식 5 로 표시되는 첨가제 b 0.1 내지 10 중량부; 4)화학식 6 또는 화학식 7로 표시되는 첨가제 c 0.05 내지 5 중량부; 5)아미노산, 아미노산 복합체 또는 화학식 8로 표시되는 첨가제 d 0.1 내지 10 중량부 6)화학식 9 또는 화학식 10으로 표시되는 첨가제 e 0.01 내지 2 중량부 및 탈이온수로 이루어지는 것을 특징으로 하고, 상기 식각 용액 조성물은 구리 몰리브덴막의 동시 식각을 가능하게 하며, 특히 기존의 식각 용액 조성물에 비하여, 테이퍼 프로파일, 시디 로스, 테일 랭스, 케파시티 등의 식각 특성이 우수하다. 식각 용액, 구리, 구리 몰리브덴, 구리 합금막
Int. CL C09K 13/08 (2006.01.01) C23F 1/18 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) C11D 11/00 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01)
CPC C09K 13/08(2013.01) C09K 13/08(2013.01) C09K 13/08(2013.01) C09K 13/08(2013.01) C09K 13/08(2013.01) C09K 13/08(2013.01)
출원번호/일자 1020040103560 (2004.12.09)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0708970-0000 (2007.04.11)
공개번호/일자 10-2006-0064881 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20070418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변요한 대한민국 대전 서구
2 하용준 대한민국 대전광역시 유성구
3 서성우 대한민국 대전 유성구
4 박찬효 대한민국 대전 유성구
5 안경호 대한민국 서울 성북구
6 권혁준 대한민국 대전 서구
7 한희 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580367-18
2 출원심사청구서
Request for Examination
2005.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0650198-19
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2006-0049061-19
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0626429-34
7 의견서
Written Opinion
2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0970978-66
8 등록결정서
Decision to grant
2007.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0140745-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
1 1
식각 용액 조성물 총 중량에 대하여 (a) 과산화수소수 5 내지 40 중량부; (b) 하기 화학식 1, 하기 화학식 2 및 하기 화학식 3의 화합물로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 첨가제 a 0
2 2
금속배선을 포함하는 액정표시소자 또는 반도체 기판상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 제 1항의 식각 용액 조성물로 식각하는 단계를 포함하는 금속배선의 식각 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 식각방법이 딥방식 또는 스프레이 방식인 것을 특징으로 하는 금속배선의 식각방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 금속배선이 상부막으로 구리막 또는 구리합금막을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 식각 방법
5 5
제 2항 기재의 식각 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
6 6
제 2항 기재의 식각 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
7 6
제 2항 기재의 식각 방법을 사용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.