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상부에 전극 패턴이 형성된 베이스 기판과; 상기 베이스 기판의 전극 패턴에 전기적으로 연결되며 본딩되며, 상호 이격되어 있는 복수개의 발광 다이오드 칩과; 각각의 끝단면에 홈부가 형성되어 있고, 상기 각각의 홈부 내부에 발광 다이오드 칩이 위치되어 상기 베이스 기판 상부에 본딩되어 있는 복수개의 광 파이버들과;상기 광 파이버 각각의 홈부 내부에 충진되어 있는 광전달 물질로 구성된 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광전달 물질과 발광 다이오드칩의 주(主) 광방출면을 이루는 물질의 굴절율은 동일한 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광 파이버의 홈부는, 원형의 오목 렌즈 형상인 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 광전달 물질의 굴절율은, 발광 다이오드칩의 주(主) 광방출면을 이루는 물질의 굴절율보다는 크고, 상기 광 파이버의 굴절율보다는 작은 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩은, 사파이어 기판 상부에 N타입 반도체층, 활성층과 P타입 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 P타입 반도체층에서 N타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 메사 식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극 패드가 형성되어 있고; 상기 P타입 반도체층 상부에 P전극 패드가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드칩의 주(主) 광방출면은 사파이어 기판면이고,상기 광전달 물질은 실리콘 젤인 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩은, 기판 상부에 N타입 반도체층, 활성층과 P타입 반도체층이 순차적으로 형성되어 있고; 상기 P타입 반도체층에서 N타입 반도체층의 일부까지 메사(Mesa) 식각되어 있고; 상기 P타입 반도체층 상부에 전류확산층이 형성되어 있고; 상기 메사 식각된 N타입 반도체층 상부에 N전극 패드가 형성되어 있고; 상기 전류확산층 상부에 P전극 패드가 형성되어 이루어진 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈
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베이스 기판 상부에 형성된 전극 패턴에 발광 다이오드 칩의 전극이 전기적으로 연결되도록 복수개의 발광 다이오드칩을 상기 베이스 기판 상부에 플립칩(Flip chip) 본딩하는 단계와; 끝단면에 홈부가 형성된 광 파이버를 복수개 준비하는 단계와; 상기 복수개의 광 파이버 각각의 홈부에 광전달 물질을 충진하는 단계와; 상기 광 파이버 홈부 내부에 상기 발광 다이오드칩이 위치되도록, 상기 복수개의 광 파이버 각각을 상기 베이스 기판에 본딩하는 단계로 이루어진 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈의 패키징 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 광 파이버의 홈부는, 원형의 오목 렌즈 형상으로 가공되어 있는 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈의 패키징 방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 광전달 물질의 굴절율은, 발광 다이오드칩의 주(主) 광방출면을 이루는 물질의 굴절율보다는 크고, 상기 광 파이버의 굴절율보다는 작은 것을 특징으로 하는 광 파이버를 이용한 발광 다이오드 어레이 모듈의 패키징 방법
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