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질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015035012
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요약 본 발명은 저 구동 전압과 고 발광 효율을 갖는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법은, p형 전극 접촉층으로 사용되는 p형 질화물 반도체층을 낮은 온도에서 성장시킴으로써 전류의 퍼짐현상을 강화시키고, 버퍼층으로는 GaN 버퍼층과 함께 InAlN 버퍼층을 사용함으로써 이종 기판 상에 형성되는 질화물 반도체의 결정성을 높여 주는 것에 그 특징이 있다. 이와 같은 본 발명에 따라서 저 구동 전압과 고 발광 효율을 갖는 질화물 반도체 발광소자의 제작을 가능하도록 하였다. 발광소자, 질화물 반도체, 버퍼층, 저온 성장
Int. CL H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020040107781 (2004.12.17)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1172059-0000 (2012.08.01)
공개번호/일자 10-2006-0068856 (2006.06.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태윤 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0596211-24
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0191784-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0782806-26
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0215385-57
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0445509-69
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0445508-13
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0718890-12
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.02.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0005960-69
13 등록결정서
Decision to grant
2012.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0261456-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성되는 버퍼층과;상기 버퍼층 위에 형성된 제1 질화물 반도체층과; 상기 제1 질화물 반도체층 위에 형성된 활성층과;상기 활성층 위에 저온 성장 조건으로 도펀트가 도핑되어 형성된 제2 질화물 반도체층;을 포함하며,상기 버퍼층은 초격자 구조로 형성됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 GaN/AlInN 초격자 구조로 형성됨을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
4 4
기판 위에 버퍼층을 형성시키는 단계와;상기 버퍼층 위에 제1 질화물 반도체층을 형성시키는 단계와;상기 제1 질화물 반도체층 위에 활성층을 형성시키는 단계와;상기 활성층 위에 저온 성장 조건으로 도펀트가 도핑된 제2 질화물 반도체층을 형성시키는 단계를 포함하며,상기 저온 성장 조건으로 도펀트가 도핑된 제2 질화물 반도체층을 형성시키는 단계는, 분당 10cc 이하의 Mg를 첨가하여 저속 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 저온 성장 조건으로 도펀트가 도핑된 제2 질화물 반도체층을 형성시키는 단계는, 성장온도를 800 ℃ 이하에서 실시함을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층이고,상기 제 2 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
8 8
제 4 항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층은 n형 질화물 반도체층이고,상기 제 2 질화물 반도체층은 p형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.