| 1 |
1
제 1 기판 상에 형성되어 서브-픽셀을 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선 및 전력 공급선;
상기 서브-픽셀 내부에 각각 형성되는 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터;
상기 제 1 기판과 대향 합착되는 제 2 기판;
상기 제 2 기판의 내측에 형성되는 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 서브-픽셀의 양측 가장자리에 형성되어 상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키는 절연막 패턴;
상기 절연막 패턴의 일부 영역 상에 형성되는 격벽;
노출된 상기 제 1 전극 상에 형성되며, 상기 격벽이 형성되지 않은 절연막 패턴의 일부 영역까지 연장 형성되는 유기발광층;
상기 유기발광층 상에 형성되는 제 2 전극; 및
상기 구동 박막 트랜지스터와 상기 제 2 전극을 연결하는 연결전극을 포함하며,
상기 제 2 전극의 가장자리가 상기 절연막 패턴과 접촉함으로써, 상기 제 2 전극이 상기 유기발광층과 격벽이 접촉하지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,
상기 격벽 내부에 형성되는 유기발광층과 상기 격벽이 5㎛ 이상 이격되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,
상기 유기발광층은 상기 절연막 패턴의 에지에 오버랩되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,
상기 절연막 패턴 및 유기발광층에 의해 상기 제 1 전극과 제 2 전극이 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전극은 상기 절연막 패턴 및 격벽 내부에 서브-픽셀 단위로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자
|
| 6 |
6
제 1 기판 상에 게이트 배선을 형성하고, 이에 수직교차하는 데이터 배선 및 전력공급선을 형성하여 서브-픽셀을 정의하는 단계;
상기 서브-픽셀 내부에 스위칭 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
상기 구동 박막트랜지스터에 연결되도록 연결전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 기판에 대향하는 제 2 기판 내측에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극의 일부 영역을 노출시키도록 상기 제 1 전극 상부의 서브-픽셀의 양측 가장자리에 절연막 패턴을 형성하는 단계;
상기 절연막 패턴의 일부 영역 상에 격벽을 형성하는 단계;
노출된 상기 제 1 전극 상에 유기발광층을 형성하며, 상기 격벽이 형성되지 않은 상기 절연막 패턴의 일부 영역까지 상기 유기발광층을 연장 형성하는 단계;
상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;
상기 연결전극이 제 2 전극에 접촉되도록 상기 제 1, 제 2 기판을 대향 합착하는 단계를 포함하며,
상기 제 2 전극을 형성하는 단계는, 상기 제 2 전극의 가장자리가 상기 절연막 패턴과 접촉하여 상기 제 2 전극이 상기 유기발광층과 격벽이 접촉하지 않도록 상기 유기발광층을 완전커버하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,
상기 유기발광층은 상기 격벽으로부터 5㎛ 이상 이격되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서,
상기 유기발광층이 상기 절연막 패턴의 에지에 오버랩되도록 절연막 패턴의 면적을 크게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서,
상기 유기발광층 형성시, 섀도우 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 전극 형성시, 오픈 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제 6 항에 있어서,
상기 연결전극 하부에 콘택 스페이서를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광소자의 제조방법
|
