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기판 상에 형성된 애노드 전극과; 상기 애노드 전극을 부분적으로 노출시켜 발광영역을 정의하며 절연성을 가지는 무기물질을 포함하는 절연막과; 상기 발광영역 상에 형성되는 유기발광층과; 상기 유기발광층을 사이에 두고 상기 애노드 전극과 교차되는 캐소드 전극을 포함하고, 상기 절연막은 금속층과, 상기 금속층의 표면에 형성된 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄(Al)을 포함하고, 상기 산화막은 산화알루미늄(Al2O3)막인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자
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기판 상에 애노드 전극을 형성하는 단계와;상기 애노드 전극을 부분적으로 노출시켜 발광영역을 정의함과 아울러 절연성을 가지는 무기물질을 포함하는 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광영역 상에 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층을 사이에 두고 상기 애노드 전극과 교차되는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 절연막을 형성하는 단계는 상기 애노드 전극이 형성된 기판 상에 금속층을 형성하는 단계와;상기 금속층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속층을 양극산화처리하여 상기 금속층의 표면에 산화막을 형성하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와; 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 영역에서 노출되는 금속층을 식각하여 상기 애노드 전극을 노출시켜 상기 발광영역을 정의하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 금속층의 표면에 산화막을 형성하는 단계는 양극산화액이 수용되며 그의 일측에 백금(Pt)을 포함하는 음전극이 마련된 양극산화장치에 상기 금속층 및 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 딥핑하는 단계와; 상기 양극산화액을 전기분해하여 상기 금속층 표면에 상기 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 양극산화액은 주석산, 물(H20), NH4OH 및 에틸렌글리콜을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄(Al)을 포함하고,상기 산화막은 산화알루미늄(Al2O3)막인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄(Al)을 포함하고,상기 산화막은 산화알루미늄(Al2O3)막인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광표시소자의 제조방법
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