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유기 전계 발광 소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2015035184
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인듐주석산화물층들 사이에서 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 형성되는 스캔 라인들을 포함하는 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 소자는 복수의 인듐주석산화물층들, 복수의 스캔 라인들, 절연층, 유기물층 및 금속전극층들을 포함한다. 상기 인듐주석산화물층들은 기판 상에 형성된다. 상기 스캔 라인들은 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성된다. 상기 절연층은 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성된다. 상기 유기물층은 상기 발광 영역 상에 형성된다. 상기 금속전극층들은 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성된다. 상기 유기 전계 발광 소자는 스캔 라인들이 인듐주석산화물층들 사이에 형성되므로, 동일한 크기의 기판에서 휘도를 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 유기 전계 발광 소자, 스캔 라인, ITO층
Int. CL H05B 33/26 (2006.01) H05B 33/10 (2006.01)
CPC H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01)
출원번호/일자 1020040114289 (2004.12.28)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0601338-0000 (2006.07.07)
공개번호/일자 10-2006-0075489 (2006.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김학수 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최규팔 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, ***호 (역삼동)(특허법인한성)
2 조희연 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0621628-36
2 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0382185-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 복수의 인듐주석산화물층들; 상기 기판 상에서 상기 인듐주석산화물층들 사이에 각기 형성되는 복수의 스캔 라인들; 상기 인듐주석산화물층들의 발광 영역 및 스캔 라인들의 연결 영역을 제외한 영역에 형성되는 절연층; 상기 발광 영역 상에 형성되는 유기물층; 및 상기 유기물층 및 상기 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층들과 교차되도록 형성되는 금속전극층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 스캔 라인들은 순차적으로 적층된 인듐주석산화물층 및 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 연결 영역은 상기 스캔 라인들에 각기 하나씩 형성되며, 각기 하나의 금속전극층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자
5 5
인듐주석산화물층들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행하게 스캔 라인들을 형성하는 단계; 상기 인듐주석산화물층들 및 스캔 라인들이 형성된 기판의 전면에 발광 영역 및 연결 영역을 제외하고 절연물질을 증착하는 단계; 상기 발광 영역에 유기물층을 증착하는 단계; 및 상기 발광 영역 및 연결 영역 위에 상기 인듐주석산화물층과 교차하는 금속전극층들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 스캔 라인들을 형성하는 단계는, 상기 인듐주석산화물층들 사이에 상기 인듐주석산화물층들과 평행한 인듐주석산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 인듐주석산화물층들 사이에 형성된 인듐주석산화물층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 연결 영역은 상기 스캔 라인들에 각기 하나씩 형성되며, 각기 하나의 금속전극층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법
8 7
제 5 항에 있어서, 상기 연결 영역은 상기 스캔 라인들에 각기 하나씩 형성되며, 각기 하나의 금속전극층에 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01677358 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01677358 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05136734 JP 일본 FAMILY
4 JP18190630 JP 일본 FAMILY
5 KR100612120 KR 대한민국 FAMILY
6 KR100682757 KR 대한민국 FAMILY
7 US07518307 US 미국 FAMILY
8 US20060138943 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100482018 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1798460 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2006190630 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5136734 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2006138943 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7518307 US 미국 DOCDBFAMILY
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