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열전도형 반도체 발광소자 패키지

  • 기술번호 : KST2015035363
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요약 본 발명은 반도체 발광소자의 기판부가 소자 프레임에 결착되는 경우의 열전달 구조의 개선에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 열전도형 반도체 발광소자 패키지는 화합물반도체로 구성되는 LED부; 상기 LED부가 성장되고, 저면이 요철가공되는 기판부; 상기 기판부가 결합되는 소자프레임; 및 상기 기판부 및 상기 소자프레임을 결착시키는 결합부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 기판부 및 결합부 사이에서 나타나는 열 병목 현상을 최소화할 수 있으므로, 발광소자의 수명을 늘리고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있고, 열이 보다 효율적으로 방출됨으로써 광특성이 개선되고 상기 기판부 및 결합부의 계면에서 열화가 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 33/48 (2014.01) H01L 33/62 (2014.01)
CPC H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01)
출원번호/일자 1020050002558 (2005.01.11)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1081146-0000 (2011.11.01)
공개번호/일자 10-2006-0082114 (2006.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20111107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성철 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2005-0015225-82
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2006-5066791-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.19 수리 (Accepted) 4-1-2006-5068944-32
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0203915-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0016428-84
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0041703-10
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0281041-48
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0565259-20
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0565260-77
13 등록결정서
Decision to grant
2011.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0587249-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
화합물반도체로 구성되는 LED부; 상기 LED부가 성장되고, 저면이 요철가공되는 기판부; 상기 기판부가 결합되는 소자프레임; 및 상기 기판부 및 상기 소자프레임을 결착시키는 결합부를 포함하며, 상기 기판부와 상기 결합부는 요철구조로 접촉된 열전도형 반도체 발광소자 패키지
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판부는 상기 저면이 사각형, 원형 또는 삼각형 형상으로 요철가공되는 열전도형 반도체 발광소자 패키지
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판부는 래핑 및 폴리싱 공정을 거친 후 요철가공되는 열전도형 반도체 발광소자 패키지
4 4
제1항에 있어서, 상기 기판부는 밀링 공정을 통하여 요철가공되는 열전도형 반도체 발광소자 패키지
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판부는 식각 공정을 통하여 요철가공되는 열전도형 반도체 발광소자 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.