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수직 구조의 발광 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015035373
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 사파이어와 같은 절연 기판(122)상에 GaN LED와 같은 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 반도체 층(124,126,128)은 통상적인 반도체 공정기술을 사용하여 절연 기판(122)상에 제조된다. 그런 후, 개개의 소자들의 경계를 정의하는 트랜치들이 바람직하게는 유도결합형 플라즈마 반응성 이온 에칭(ICP-RIE)을 사용하여 반도체층(124,126,128)을 통해 그리고 절연 기판(122)에 형성된다. 그리고 나서, 트랜치들은 용이하게 제거되는 층(154)으로 채워진다. 그런 후, 지지층(156)이 반도체 층상에 형성되고 절연 기판(122)이 제거된다. 그리고 나서, 금속 접점, 패시베이션층 및 금속 패드들이 개개의 소자들에 추가된 후, 개개의 소자들은 분리된다. LED, 패시베이션층, 트랜치, GaN
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020047016177 (2004.10.09)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0921457-0000 (2009.10.06)
공개번호/일자 10-2005-0012729 (2005.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20091013) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/US2003/009501 (2003.03.31)
국제공개번호/일자 WO2003088318 (2003.10.23)
우선권정보 미국  |   10/118,316   |   2002.04.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.23)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종남 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정인권 대한민국 미국 캘리포니아 *****
3 유명철 대한민국 미국 캘리포니아 ****

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Article 203 of Patent Act		 2004.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0458945-14
2 보정요구서
Request for Amendment		 2004.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0071116-64
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2004.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0528302-53
4 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2004.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-5184676-72
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-5189709-52
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128488-27
7 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0763528-34
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0566370-88
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0875217-23
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0897308-95
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.12.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0897307-49
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0232781-85
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0456475-69
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0456473-78
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0552544-98
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.12.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0060941-08
18 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041408-80
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0186178-37
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0186179-83
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
22 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0308679-75
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지층; 상기 지지층 상에 위치하는 제 1 접촉층; 상기 제 1 접촉층 상에 직접 접촉하여 위치하는 p-GaN 반도체층; 상기 p-GaN 반도체층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 n-GaN 반도체층; 상기 p-GaN 반도체층, 발광층, 및 n-GaN 반도체층 노출면의 적어도 일부분에 위치하는 패시베이션층; 및 상기 n-GaN 반도체층 상에 위치하는 제 2 접촉층을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 적어도 상기 제 2 접촉층 측면까지 확장되는 발광 다이오드
3 3
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 제 1 접촉층의 측면까지 확장되는 발광 다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 패시베이션층은, SiO2 또는 Si3N4 물질로 형성된 발광 다이오드
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 지지층은, 전도성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
7 7
제 1항에 있어서, 상기 지지층은, 금속 또는 금속 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 8
제 1항에 있어서, 상기 제 1 접촉층은, Pt/Au, Pd/Au, Ru/Au, Ni/Au, Cr/Au, 및 ITO/Au 중 어느 하나의 물질로 형성된 발광 다이오드
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 n-GaN 반도체층 상의 상기 제 2 접촉층이 형성되지 않은 부분의 적어도 일부분에는 도핑되지 않은 반도체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 n-GaN 반도체층의 두께는 상기 p-GaN 반도체층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 접촉층은 평판 형상인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
12 12
제 1항에 있어서, 상기 제 1 접촉층과 상기 제 2 접촉층은, 수직 방향으로 정렬된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
13 13
전도성 지지층; 상기 전도성 지지층 상에 위치하는 제 1 접촉층; 상기 제 1 접촉층 상에 직접 접촉하여 위치하는 p-형 GaN 반도체층; 상기 p-형 GaN 반도체층 상에 위치하는 발광층; 상기 발광층 상에 위치하는 n-형 GaN 반도체층; 적어도 상기 p-형 GaN 반도체층, 발광층, 및 n-형 GaN 반도체층의 측면 노출면 상에 위치하는 패시베이션층; 및 상기 n-형 GaN 반도체층 상에 위치하는 제 2 접촉층을 포함하는 발광 다이오드
14 14
제 13항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 제 1 접촉층 측면까지 확장되는 발광 다이오드
15 15
제 13항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 제 2 접촉층보다 높게 형성된 발광 다이오드
16 16
제 13항에 있어서, 상기 패시베이션층은, SiO2 또는 Si3N4 물질로 형성된 발광 다이오드
17 17
제 13항에 있어서, 상기 전도성 지지층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 납(Pd), 텅스텐(W) 및 알루미늄(Al)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 재료를 포함하는 발광 다이오드
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
금속 지지층; 상기 금속 지지층 상에 위치하는 제 1 접촉층; 상기 제 1 접촉층 상에 직접 접촉하여 위치하며, 발광층을 포함하는 GaN 반도체층; 상기 GaN 반도체층의 드러난 적어도 일부의 표면 상에 위치하는 패시베이션층(passivation layer); 상기 GaN 반도체층 상의 제 2 접촉층; 및 상기 GaN 반도체층 상의 상기 제 2 접촉층이 형성되지 않은 부분의 적어도 일부분에 위치하는 도핑되지 않은 반도체층을 포함하는 발광 다이오드
22 22
삭제
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 패시베이션층은, 상기 제 2 접촉층보다 높게 형성된 발광 다이오드
24 24
제 21 항에 있어서, 상기 패시베이션층은 SiO2 또는 Si3N4로 형성된 발광 다이오드
25 25
제 21 항에 있어서, 상기 제 1 접촉층은, Pt/Au, Pd/Au, Ru/Au, Ni/Au, Cr/Au, 또는 ITO/Au로 형성된 발광 다이오드
26 26
제 21 항에 있어서, 상기 GaN 반도체층은, 제 1 전도성 반도체층과; 상기 제 1 전도성 반도체층 상에 위치하는 상기 발광층과; 상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전도성 반도체층을 포함하는 발광 다이오드
27 27
삭제
28 28
제 26 항에 있어서, 상기 제 2 전도성 반도체층의 두께는 상기 제 1 전도성 반도체층보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
29 29
제 21 항에 있어서, 상기 금속 지지층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 백금(Pt), 납(Pd), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 및 티타늄 니트라이드(titanium nitride)로 구성된 그룹으로부터 선택된 어느 하나의 재료를 포함하는 발광 다이오드
30 30
절연 기판 상에 개개의 소자 영역으로 구분되는 복수의 반도체층들을 성장시키는 단계; 상기 반도체층의 개개의 소자 영역 상에 제 1 접촉층을 형성하는 단계; 상기 제 1 접촉층들 위에 상기 개개의 소자 영역을 함께 지지하는 지지층을 형성하는 단계; 상기 절연 기판을 제거하는 단계; 상기 복수의 반도체층의 개개의 소자 영역의 측면을 포함하는 노출면에 패시베이션층을 형성하는 단계; 및 상기 절연 기판을 제거하여 드러난 반도체층 상에 제 2 접촉층들을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 제조방법
31 31
제 30 항에 있어서, 개개의 발광 다이오드를 분리하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드 제조방법
32 32
제 31 항에 있어서, 상기 개개의 발광 다이오드를 분리하는 단계는 상기 지지층을 통해 에칭하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조방법
33 33
제 30 항에 있어서, 상기 절연 기판을 제거하는 단계는 레이저 리프트 오프(lift off) 공정을 사용하여 수행되는 발광 다이오드 제조방법
34 34
제 30 항에 있어서, 상기 지지층을 형성하는 단계는 전기도금, 무전해도금(electroless plating), 화학증착법(CVD), 스퍼터링(sputtering) 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 발광 다이오드 제조방법
35 35
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36 36
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37 37
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38 38
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40 40
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41 41
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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01502286 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01502286 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01848026 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01848026 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP02261949 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 EP02261949 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
7 EP02261949 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
8 EP02261950 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
9 EP02261950 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
10 EP02261950 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
11 EP02261951 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
12 EP02261951 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
13 EP02261951 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
14 EP02860753 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
15 EP02860753 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
16 EP02860779 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
17 EP02860779 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
18 EP02863444 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
19 EP02863444 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
20 JP05325365 JP 일본 FAMILY
21 JP06268259 JP 일본 FAMILY
22 JP06546432 JP 일본 FAMILY
23 JP06547047 JP 일본 FAMILY
24 JP17522873 JP 일본 FAMILY
25 JP25175748 JP 일본 FAMILY
26 JP27181164 JP 일본 FAMILY
27 JP29038076 JP 일본 FAMILY
28 JP30195855 JP 일본 FAMILY
29 US06621404 US 미국 FAMILY
30 US06960979 US 미국 FAMILY
31 US07250638 US 미국 FAMILY
32 US07462881 US 미국 FAMILY
33 US07563629 US 미국 FAMILY
34 US07569865 US 미국 FAMILY
35 US07576368 US 미국 FAMILY
36 US07588952 US 미국 FAMILY
37 US07816705 US 미국 FAMILY
38 US07928465 US 미국 FAMILY
39 US08384120 US 미국 FAMILY
40 US08809898 US 미국 FAMILY
41 US08896017 US 미국 FAMILY
42 US09224907 US 미국 FAMILY
43 US09472727 US 미국 FAMILY
44 US09882084 US 미국 FAMILY
45 US20030189215 US 미국 FAMILY
46 US20040004535 US 미국 FAMILY
47 US20050098792 US 미국 FAMILY
48 US20060071230 US 미국 FAMILY
49 US20060099730 US 미국 FAMILY
50 US20060244001 US 미국 FAMILY
51 US20070295986 US 미국 FAMILY
52 US20080001166 US 미국 FAMILY
53 US20090278161 US 미국 FAMILY
54 US20100308368 US 미국 FAMILY
55 US20110193128 US 미국 FAMILY
56 US20140054639 US 미국 FAMILY
57 US20140091353 US 미국 FAMILY
58 US20150048307 US 미국 FAMILY
59 US20160079482 US 미국 FAMILY
60 US20160380151 US 미국 FAMILY
61 WO2003088318 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
62 WO2003088318 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AT412972 AT 오스트리아 DOCDBFAMILY
2 AU2003241280 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU2003241280 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU2003241280 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 AU2003241280 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
6 DE20321880 DE 독일 DOCDBFAMILY
7 DE20321881 DE 독일 DOCDBFAMILY
8 DE60324413 DE 독일 DOCDBFAMILY
9 EP1502286 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 EP1502286 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
11 EP1502286 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
12 EP1848026 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
13 EP1848026 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
14 EP2261949 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
15 EP2261949 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
16 EP2261949 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
17 EP2261950 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
18 EP2261950 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
19 EP2261950 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
20 EP2261951 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
21 EP2261951 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
22 EP2261951 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
23 EP2860753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
24 EP2860753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
25 EP2860779 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
26 EP2860779 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
27 EP2863444 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
28 EP2863444 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
29 JP2005522873 JP 일본 DOCDBFAMILY
30 JP2005522873 JP 일본 DOCDBFAMILY
31 JP2005522873 JP 일본 DOCDBFAMILY
32 JP2013175748 JP 일본 DOCDBFAMILY
33 JP2015181164 JP 일본 DOCDBFAMILY
34 JP2017038076 JP 일본 DOCDBFAMILY
35 JP2018195855 JP 일본 DOCDBFAMILY
36 JP5325365 JP 일본 DOCDBFAMILY
37 JP6268259 JP 일본 DOCDBFAMILY
38 JP6546432 JP 일본 DOCDBFAMILY
39 JP6547047 JP 일본 DOCDBFAMILY
40 US10243101 US 미국 DOCDBFAMILY
41 US10453993 US 미국 DOCDBFAMILY
42 US10461217 US 미국 DOCDBFAMILY
43 US10600933 US 미국 DOCDBFAMILY
44 US2003189215 US 미국 DOCDBFAMILY
45 US2004004535 US 미국 DOCDBFAMILY
46 US2005098792 US 미국 DOCDBFAMILY
47 US2006071230 US 미국 DOCDBFAMILY
48 US2006099730 US 미국 DOCDBFAMILY
49 US2006244001 US 미국 DOCDBFAMILY
50 US2007295986 US 미국 DOCDBFAMILY
51 US2008001166 US 미국 DOCDBFAMILY
52 US2009278161 US 미국 DOCDBFAMILY
53 US2010308368 US 미국 DOCDBFAMILY
54 US2011193128 US 미국 DOCDBFAMILY
55 US2014054639 US 미국 DOCDBFAMILY
56 US2014091353 US 미국 DOCDBFAMILY
57 US2015048307 US 미국 DOCDBFAMILY
58 US2016079482 US 미국 DOCDBFAMILY
59 US2016380151 US 미국 DOCDBFAMILY
60 US2018158986 US 미국 DOCDBFAMILY
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