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단일 픽셀을 구성하기 위해 배열된 다수의 반도체 발광소자들;상기 반도체 발광소자들 각각을 실장하기 위한 다수의 움푹 들어간 영역들을 갖고, 상기 반도체 발광소자들 각각의 광을 반사시키는 반사판이 형성된, 서브 마운트기판;상기 반도체 발광소자들 각각을 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 서브 마운트기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자들의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들은 인접 배열되거나 동일 선상에 배열되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 움푹 들어간 영역들을 제외한 상기 서브 마운트기판의 탑 영역에 적어도 하나 이상의 제너 다이오드가 구비되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제1항에 있어서, 상기 몰딩재들 각각은 적어도 상기 움푹 들어간 영역들 각각이 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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5
제1항에 있어서, 방열 성능을 강화하기 위해 상기 움푹 들어간 영역들 각각에 상응되는 상기 서브 마운트기판의 저면에 열전도 부재가 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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6
제5항에 있어서, 상기 열전도 부재는 상기 서브 마운트기판의 저면으로부터 소정 깊이 식각된 후, 그 식각된 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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7
제1항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은 상기 움푹 들어간 영역들 각각에 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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8
단일 픽셀을 구성하기 위해 인접 배열된 다수의 반도체 발광소자들;상기 반도체 발광소자들을 실장하기 위한 움푹 들어간 영역을 갖고, 상기 반도체 발광소자들의 광을 반사시키는 반사판이 형성된, 서브 마운트기판;상기 반도체 발광소자들을 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 서브 마운트기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자들의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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9
제8항에 있어서, 상기 움푹 들어간 영역을 제외한 상기 서브 마운트기판의 탑 영역에 적어도 하나 이상의 제너 다이오드가 구비되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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10
제8항에 있어서, 상기 몰딩재는 상기 서브 마운트기판의 적어도 움푹 들어간 영역이 포함되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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11
제8항에 있어서, 방열 성능을 강화하기 위해 상기 움푹 들어간 영역에 상응되는 상기 서브 마운트기판의 저면에 열전도 부재가 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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12
제11항에 있어서, 상기 열전도 부재는 상기 서브 마운트기판의 저면으로부터 소정 깊이 식각된 후, 그 식각된 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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13
제8항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 모두는 상기 움푹 들어간 영역에 플립칩 본딩되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 서브 마운트기판 상에는 상기 반도체 발광소자들로 구성된 단일 픽셀이 일방향을 따라 주기적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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15
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 서브 마운트기판 상에는 상기 반도체 발광소자들로 구성된 단일 픽셀이 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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16
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 반사판은 상기 서브 마운트기판의 적어도 움푹 들어간 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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17
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 반사판은 상기 반도체 발광소자들 각각에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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18
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 서브 마운트기판의 적어도 움푹 들어간 영역에는 상기 반도체 발광소자들과 상기 서브마운트 간의 전기적 쇼트를 방지하기 위한 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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19
제18항에 있어서, 상기 절연층은 상기 서브 마운트기판상에 형성된 반사판의 저면에 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제3항 또는 제9항에 있어서, 상기 제너 다이오드는 서브 마운트기판의 도핑에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 기판과 상기 방열판은 유테틱 본딩에 의해 부착되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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22
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은 pn 구조 및 npn 구조 중 하나의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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23
단일 픽셀을 구성하기 위해 배열된 다수의 반도체 발광소자들;상기 반도체 발광소자들 각각을 실장하기 위한 다수의 움푹 들어간 영역들을 갖고, 상기 반도체 발광소자들 각각의 광을 반사시키는 반사판이 형성된, n형 또는 p형 도핑이 이루어진 서브 마운트기판;상기 반도체 발광소자들 각각을 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 서브 마운트기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자들의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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단일 픽셀을 구성하기 위해 인접 배열된 다수의 반도체 발광소자들;상기 반도체 발광소자들을 실장하기 위한 움푹 들어간 영역을 갖고, 상기 반도체 발광소자들의 광을 반사시키는 반사판이 형성된, n형 또는 p형 도핑이 이루어진 서브 마운트기판;상기 반도체 발광소자들을 감싸도록 형성된 몰딩재; 및상기 서브 마운트기판의 저면에 부착되고 상기 반도체 발광소자들의 열을 방출하기 위한 방열판을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제 23항 또는 제 24항에 있어서, 상기 움푹 들어간 영역을 제외한 상기 서브 마운트기판의 탑 영역에 상기 서브 마운트기판의 도핑에 의해 적어도 하나 이상의 제너 다이오드가 구비되는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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제 23항 또는 제24항에 있어서, 상기 기판의 탑 영역 및 상기 몰딩재의 양측으로 "ㅗ","ㅜ"자 형상으로 형성되며, 상기 반사판에 전기적으로 연결된 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 발광장치
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